[发明专利]一种多层金属-氧化物-金属电容的制作方法

权利要求书

1.一种多层金属-氧化物-金属电容的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，提供衬底；

步骤2，通过等离子增强型化学气相沉积和含氧气体处理两步循环的方式形 成氧化硅，每次沉积的氧化硅厚度为1纳米至10纳米；

步骤3，通过光刻和刻蚀去除一部分氧化硅，所保留的氧化硅用于后续形成 多层金属-氧化物-金属电容；

步骤4，在由步骤3得到的结构表面上形成预定厚度的低k值介质层；

步骤5，通过光刻和刻蚀在低k值介质层中分别形成第一金属槽和第二金属 槽，其中，第一金属槽位于氧化硅上方且第一金属槽的底部连通至氧化硅，第 二金属槽用于后续形成互连；

步骤6，在第一、第二金属槽内填充金属；

重复步骤2～步骤6。

2.如权利要求1所述的多层金属-氧化物-金属电容的制作方法，其特征在于， 所述步骤4具体包括：

在由步骤3得到的结构表面上沉积低k值介质层，并利用化学机械研磨去除 氧化硅表面上方的多余低k值介质层，并再次沉积低k值介质层至预定厚度。

3.如权利要求1所述的多层金属-氧化物-金属电容的制作方法，其特征在于， 所述步骤4具体包括：

在由步骤3得到的结构表面上沉积低k值介质层，利用化学机械研磨对低k 值介质层表面进行平坦化，并在氧化硅上方保留预定厚度的低k值介质层。

4.如权利要求1所述的多层金属-氧化物-金属电容的制作方法，其特征在于， 所述等离子增强型化学气相沉积采用的反应气体包括硅烷和一氧化二氮。

5.如权利要求4所述的多层金属-氧化物-金属电容的制作方法，其特征在于， 所述硅烷的流量在500sccm至600sccm之间，所述一氧化二氮的流量在 9000sccm至15000sccm之间，硅烷与一氧化二氮的流量比为1：15至1：30， 成膜速率在1500纳米/分钟至5000纳米/分钟之间。

6.如权利要求1所述的多层金属-氧化物-金属电容的制作方法，其特征在于， 所述含氧气体处理所采用的含氧气体包括一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳 或二氧化碳。

7.如权利要求1所述的多层金属-氧化物-金属电容的制作方法，其特征在于， 所述含氧气体处理所采用的含氧气体流量在2000sccm至6000sccm之间，处 理温度在300摄氏度至600摄氏度之间。