[发明专利]平行光器件的封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种平行光器件的封装结构，其特征在于，包括：

PCB板；

驱动芯片及放大芯片，其引脚焊接于所述PCB板上；

光电二极管阵列芯片，其引脚焊接于所述PCB板上并与所述放大芯片电连接；及

激光二极管阵列芯片，引脚焊接于所述PCB板上并与所述驱动芯片电连接，且其光敏面及边缘与所述光电二极管阵列芯片的光敏面及边缘均处于同一平面。

2.如权利要求1所述的平行光器件的封装结构，其特征在于，所述光电二极管阵列芯片与所述激光二极管阵列芯片之间的间距为所述光电二极管阵列芯及所述激光二极管阵列芯片中单个二极管之间的间距的整数倍。

3.如权利要求2所述的平行光器件的封装结构，其特征在于，所述光电二极管阵列芯片与所述激光二极管阵列芯片之间的间距为1.25毫米。

4.一种平行光器件的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

排列贴片：将光电二极管阵列芯片、激光二极管阵列芯片、放大芯片及驱动芯片贴于PCB板上，使所述光电二极管阵列芯片的光敏面及边缘分别与所述激光二极管阵列芯片的光敏面及边缘处于同一平面；

绑定焊接：将所述光电二极管阵列芯片、所述激光二极管阵列芯片、所述放大芯片及所述驱动芯片的引脚焊接于所述PCB板上；

耦合调整：调整所述光电二极管阵列芯片及所述激光二极管阵列芯片的光路，使所述光电二极管阵列芯片可接收来自光纤的光信号，所述激光二极管阵列芯片可将光信号发送到光纤中；

封装：将所述光电二极管阵列芯片、激光二极管阵列芯片、放大芯片、驱动芯片及PCB板一起封装起来。

5.如权利要求4所述的平行光器件的封装方法，其特征在于，在进行所述封装的步骤之前，还包括设置所述光电二极管阵列芯片的效率阈值的步骤，使所述光电二极管阵列芯片的光电转换效率高于所述效率阈值。

6.如权利要求4所述的平行光器件的封装方法，其特征在于，在进行所述封装的步骤之前，还包括设置所述激光二极管阵列芯片的功率阈值的步骤，使所述激光二极管阵列芯片的光输出功率高于所述功率阈值。

7.如权利要求4所述的平行光器件的封装方法，其特征在于，在进行所述排列贴片的步骤时，所述光电二极管阵列芯片与所述激光二极管阵列芯片之间的间距为所述光电二极管阵列芯及所述激光二极管阵列芯片中单个二极管之间的间距的整数倍。

8.如权利要求7所述的平行光器件的封装方法，其特征在于，在进行所述排列贴片的步骤时，所述光电二极管阵列芯片与所述激光二极管阵列芯片之间的间距为1.25毫米。

9.如权利要求4所述的平行光器件的封装方法，其特征在于，在绑定焊接的步骤中，采用热、压力和超声功率键合的方法将所述光电二极管阵列芯片、所述激光二极管阵列芯片、所述放大芯片及所述驱动芯片的引脚焊接于所述PCB板上。

10.如权利要求4所述的平行光器件的封装方法，其特征在于，在耦合调整的步骤中，采用六位调整及45度全反射的方法调整所述光电二极管阵列芯片及所述激光二极管阵列芯片的光路。