[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶面板制造领域，尤其涉及一种低温多晶硅薄膜的制作方法。

背景技术

在显示器的制造过程中，阵列基板中薄膜晶体管有源层的多晶硅薄膜的形成需要在高温下进行，由于一般基板衬底的耐热度很低，如果直接在高温下制作多晶硅薄膜，将会造成基板变形。因此，在制作薄膜晶体管有源层时通常采用低温多晶硅薄膜(Low Temperature Polysilicon Thin Film)。

准分子激光退火(Excimer Laser Annealing，可缩写为ELA)方法是目前制作低温多晶硅薄膜达到量产的主要方法，其利用高能量的准分子激光照射非晶硅薄膜，使非晶硅薄膜吸收准分子激光的能量后，使该非晶硅薄膜呈融化状态，待冷却后结晶成多晶硅薄膜，整个过程是在500℃～600℃下完成。该方法是采用准分子激光发生器的脉冲激光，在非晶硅层上进行扫描形成一照射区域，该脉冲激光扫描完后向前移动一段距离，使形成的多个照射区域相互重叠，由于重叠部分温度较未重叠部分温度高，在重叠部分与未重叠部分的界面发生非均匀成核，通常重叠部分与其他未重叠部分产生的横向温度梯度，晶核将沿温度较高的方向即从未重叠部分至重叠部分的方向长大，并最终结晶成低温多晶硅薄膜。

具体的，如图1所示，基板101上形成有缓冲层106，并在该缓冲层106上形成有非晶硅层，采用ELA后，该非晶硅层晶化为多晶硅层105，但是发明人发现，由于ELA过程复杂，非晶硅层无法完全结晶为多晶硅层，以至于形成的多晶硅层105表面不平整，具有很多突起104，这样就使得薄膜晶体管在施加电压时，多晶硅薄膜表面的突起处会造成尖端放电现象，从而产生较大的漏电流，并且也会由于多晶硅薄膜表面粗糙，造成较大的电阻，使多晶硅薄膜的迁移率及阈值电压不均匀，影响产品质量。

发明内容

本发明的实施例提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法，具有平整的多晶硅薄膜表面，从而减小了多晶硅薄膜在使用过程中产生的漏电流，提高了产品质量。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法，包括：

在基板上依次沉积缓冲层和非晶硅层；

对所述非晶硅层进行高温加热，并对非晶硅层进行准分子激光退火，形成多晶硅层；

在高温下对所述多晶硅层进行氧化；

对所述氧化后的多晶硅层进行刻蚀，以形成多晶硅薄膜。

本发明实施例提供的一种低温多晶硅薄膜的制作方法，由于对采用准分子激光退火后形成的多晶硅层，在高温下进行氧化，并进行刻蚀，从而形成了表面平整的多晶硅薄膜，这样一来，减小了多晶硅薄膜在使用过程中产生的漏电流，进而提高了产品质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术制作的低温多晶硅薄膜结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种低温多晶硅薄膜制作方法的示意图；

图3为本发明实施例提供的一种低温多晶硅薄膜的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种低温多晶硅薄膜的结构示意图。

附图标记：101-基板，104-突起，105-多晶硅层，106-缓冲层；

301-基板，302-氮化硅层，303-二氧化硅层，304-突起，305-多晶硅层，306-缓冲层，307-非晶硅层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供的一种低温多晶硅薄膜的制作方法，如图2所示，包括：

S201、在基板上依次沉积缓冲层和非晶硅层。