[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制作方法有效
| 申请号： | 201110370014.9 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102655089A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁;龙春平;姚江峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 薄膜 制作方法 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上依次沉积缓冲层和非晶硅层；
对所述非晶硅层进行高温加热，并对非晶硅层进行准分子激光退火，形成多晶硅层；
在高温下对所述多晶硅层进行氧化；
对所述氧化后的多晶硅层进行刻蚀，以形成多晶硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，在基板上沉积的缓冲层包含氮化硅层和二氧化硅层，其中，先沉积的所述氮化硅层厚度为50～150nm，之后沉积的所述二氧化硅层厚度为100～350nm。
3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述非晶硅层的厚度为30～100nm。
4.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，在400～500℃的温度下对所述非晶硅层进行0.5～3小时的高温加热。
5.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，对所述高温加热后的非晶硅层进行的准分子激光退火，具体为：
采用氯化氙准分子激光器对非晶硅进行准分子激光退火，其中，激光脉冲频率为300Hz，重叠率为92％～98％，激光能量密度为300～500mJ/cm2。
6.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，在高温下采用氧气或笑气等离子体对所述多晶硅层进行氧化。
7.根据权利要求6所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，在温度为700℃氧气气氛下对所述多晶硅层进行氧化。
8.根据权利要求6所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，在高温下采用笑气等离子体对多晶硅层进行氧化，具体为，在温度大于400℃，反应气体流量为N2O＝1000～2000sccm，射频功率为700W，沉积腔内压强为1500～3000mtorr的气氛下对多晶硅层进行氧化，并且氧化的时间为2～7分钟。
9.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，对所述氧化后的多晶硅层进行刻蚀，以形成多晶硅薄膜，具体为：
采用浓度为1％～10％的氢氟酸溶液对所述氧化后的多晶硅层进行刻蚀，以形成多晶硅薄膜。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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