[发明专利]阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，特别涉及一种阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示器。

背景技术

近年来，随着科学技术的进步，数字化电视开始走进日常生活中。薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)以其体积小，功耗低，无辐射等优点成为了目前的主导产品。

TFT-LCD是由阵列基板和彩膜基板对盒后形成的，这样，TFT-LC显示屏形成几十万到上百万的像素阵列，每个像素通过TFT的控制来显示图像。

目前，TFT-LCD阵列基板是通过多次构图工艺来完成，每一次构图工艺中又分别包括：掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺，其中，刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀，所以构图工艺的次数是衡量制作TFT-LCD阵列基板的繁简程度的标准，减少构图工艺的次数就意味着制作成本的降低。现有的TFT-LCD阵列基板的TFT位置的剖面如图1所示，包括：玻璃基板(Glass)1、栅极层(Gate)2、栅极绝缘层(SiNx)3、有源层(a-Si，n+a-Si)4、像素电极层(1^stITO)5、源漏电极层(S/D)6、钝化层(PVX)7，以及公共电极层(2^ndITO)8。其中，

一般可通过四次、五次或六次构图工艺来完成TFT-LCD阵列基板的制作，其中，1+5次构图工艺形成TFT-LCD阵列基板的具体过程包括：在玻璃基板上沉积栅金属，通过第一次构图工艺形成栅极层；然后，连续沉积栅极绝缘层和有源层，通过第二次构图工艺形成有源层；沉积透明导电层ITO，通过第三次构图工艺形成像素电极层；沉积源漏金属层，通过第四次构图工艺，形成源漏电极层；继续沉积钝化层，通过第五次构图工艺形成钝化层以及过孔；沉积透明导电层，通过第六次构图工艺形成公共电极层。从而形成了TFT-LCD阵列基板。

形成阵列基板后，进行摩擦(Rubbing)处理，并在阵列基板上设置支撑物。一般支撑物位于非显示区域。设置支撑物后，将阵列基板和彩膜基板对盒，形成TFT-LCD。

由于TFT-LCD阵列基板中各层图形不尽相同，这样形成的阵列基板存在段差，因此，进行Rubbing处理时，会经常存在摩擦纹路(rubbing mura)不良。并且，由于阵列基板存在段差，TFT-LCD中的支撑物会发生位置移动，可能会移动到显示区域，从而，TFT-LCD上出现亮点或暗点。

可见，由于TFT-LCD阵列基板存在段差，易造成TFT-LCD画面质量的不良。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示器，用以提高TFT-LCD的画面质量。

本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：

形成至少包含有栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极和像素电极的基板；

在所述基板上形成平坦层；

在所述平坦层上形成凹槽；以及，

在所述凹槽内设置第一支撑物。

其中，所述在所述平坦层上形成凹槽包括：

在所述平坦层上，与所述基板的至少一个薄膜晶体管TFT对应的位置上形成凹槽。

具体包括：

在所述平坦层的上表面，涂覆光刻胶；

通过掩膜板对所述光刻胶进行曝光处理；

通过显影和刻蚀处理，在与薄膜晶体管TFT对应的位置上形成凹槽。

较佳地，所述掩膜板与形成所述有源层所使用的掩膜板相同。

另外，在所述平坦层上，与所述基板的至少一条栅极线对应的位置上设置第二支撑物。

本发明实施例提供一种阵列基板，包括：至少含有栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极和像素电极的基板，平坦层，以及第一支撑物，其中，

所述平坦层覆盖在所述基板之上；

所述平坦层上有凹槽，以及所述凹槽内设置有第一支撑物。

较佳地，所述平坦层上，与所述基板的至少一个薄膜晶体管TFT对应的位置有凹槽。

另外，所述平坦层上，与所述基板的至少一条栅极线对应的位置上设置有第二支撑物。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管液晶显示器，包括上述的阵列基板。