[发明专利]阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示器有效
| 申请号： | 201110361851.5 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102629583A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 木素真 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 液晶显示器 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
形成至少包含有栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极和像素电极的基板；
在所述基板上形成平坦层；
在所述平坦层上形成凹槽；以及，
在所述凹槽内设置第一支撑物。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述平坦层上形成凹槽包括：
在所述平坦层上，与所述基板的至少一个薄膜晶体管TFT对应的位置上形成凹槽。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述平坦层上，与所述基板的至少一个薄膜晶体管TFT对应的位置上形成凹槽包括：
在所述平坦层的上表面，涂覆光刻胶；
通过掩膜板对所述光刻胶进行曝光处理；
通过显影和刻蚀处理，在与薄膜晶体管TFT对应的位置上形成凹槽。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掩膜板与形成所述有源层所使用的掩膜板相同。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述平坦层上，与所述基板的至少一条栅极线对应的位置上设置第二支撑物。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括：至少含有栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极和像素电极的基板，平坦层，以及第一支撑物，其中，
所述平坦层覆盖在所述基板之上；
所述平坦层上有凹槽，以及所述凹槽内设置有第一支撑物。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层上，与所述基板的至少一个薄膜晶体管TFT对应的位置有凹槽。
8.如权利要求6或7所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层上，与所述基板的至少一条栅极线对应的位置上设置有第二支撑物。
9.一种薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，包括权利要求6-8中任一权利要求所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
