[发明专利]一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法有效
| 申请号： | 201110361155.4 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102592968A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;胡友存;徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 金属 氮化 电容 制造 方法 | ||
1.一种多层金属-氮化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于：其具有以下步骤：
1）在硅片衬底上首先利用等离子体增强型化学气相沉积方法（PECVD）沉积高k值氮化硅薄膜；
2）通过光刻和刻蚀去除非MOM区域的氮化硅；
3）沉积低k值介质层；
4）化学机械研磨去除多余氮化硅，形成低k值介质和氮化硅的混合层；
5）完成光刻和刻蚀在低k值介质和氮化硅中形成金属槽；
6）完成金属层沉积和金属层化学机械研磨后形成导线和MOM电容器的金属填充；
7）重复步骤（1）至步骤（6），形成多层MOM电容器。
2.如权利要求1所述的一种多层金属-氮化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于：所述步骤（1）中氮化硅沉积采用沉积氮化硅-含氧气体处理的两步循环方式完成。
3.如权利要求1所述的一种多层金属-氮化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于：所述步骤（1）中氮化硅沉积中所使用的含氧气体为一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳和二氧化碳中的一种或数种。
4.如权利要求1所述的一种多层金属-氮化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于：所述步骤（1）中氮化硅沉积中每次氮化硅沉积厚度为1纳米至10纳米。
5.如权利要求1所述的一种多层金属-氮化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于：所述步骤（1）中氮化硅沉积中含氧气体处理的气体流量在2000至6000sccm之间。
6.如权利要求1所述的一种多层金属-氮化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于：所述步骤（1）中氮化硅沉积中含氧气体处理的处理温度在300至600摄氏度之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
