[发明专利]石墨烯器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110360220.1 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103107077A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;金智;钟汇才;朱慧珑;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种石墨烯器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括绝缘层以及其上的半导体层；
在所述半导体层中形成背栅极，以及在背栅极上形成栅介质层、在栅介质层上形成石墨烯层，以及在所述背栅极两侧形成与背栅极电连接的背栅接触层；
在所述背栅接触层上形成背栅接触塞，以及在所述背栅极上形成源漏接触塞。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体层中形成背栅极，以及在背栅极上形成栅介质层、在栅介质层上形成石墨烯层，以及在所述背栅极两侧形成与背栅极电连接的接触层的步骤包括：
在所述半导体层上依次覆盖栅介质材料和石墨烯材料；
进行图案化，依次刻蚀石墨烯材料、栅介质材料以及部分厚度的半导体层，以分别形成石墨烯层、栅介质层及背栅极，其中，所述背栅极两侧的半导体层为与背栅极电连接的背栅接触层。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在形成石墨烯层、栅介质层及背栅极后，还包括步骤：在所述背栅极两侧半导体层中以及背栅极的侧壁上形成金属硅化物层，所述背栅极两侧的金属硅化物层为背栅接触层。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述石墨烯层与栅介质层间具有BN层。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述衬底为SOI衬底，所述半导体层为SOI衬底的顶层硅，所述绝缘层为SOI衬底的埋氧层。
6.一种石墨烯器件，其特征在于，包括：
背栅极；
背栅极上栅介质层，以及栅介质层上的石墨烯层；
位于背栅极两侧与背栅极电连接的背栅接触层；
背栅接触层上的背栅接触塞，以及背栅极上的源漏接触塞。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述背栅接触层为与背栅极一体的半导体层。
8.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，还包括：在所述背栅极的侧壁上的连接层，所述背栅接触层与所述连接层为连接一体的金属硅化物层。
9.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，还包括：位于所述石墨烯层与栅介质层间的BN层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
