[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

说明书

本申请基于日本专利申请No.2010-255088的优先权，其内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种包括磁阻随机访问存储器的半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

已经发展了将磁阻随机访问存储器(MRAM)作为一种类型的存储装置投入实际使用。MRAM是通过重写电子自旋的方向来写入信息的装置。外部静磁场能够使存储在MRAM中的信息被错误地擦除或者写入。与此相反，例如，如在日本特开专利申请No.2003-309196中所公开的，已经研究了用于利用磁屏蔽覆盖包括MRAM的半导体芯片的结构。

为了抑制磁性从磁屏蔽朝着半导体芯片泄漏，如在日本特开专利申请No.2003-347441中公开的，优选的是，利用磁屏蔽层直接覆盖半导体芯片。然而，在半导体芯片直接地覆盖有磁屏蔽层的情况下，凸块需要高于磁屏蔽层，以便于将半导体芯片倒装芯片安装在互连基板上。在这样的情况下，很难以小的节距布置凸块。

发明内容

在一个实施例中，提供了一种半导体器件，包括：半导体芯片，该半导体芯片包括磁存储器件和电极焊盘，该电极焊盘被布置在半导体芯片的第一面上方；

磁屏蔽层，该磁屏蔽层涂覆半导体芯片以至少暴露电极焊盘；以及

互连基板，该互连基板通过凸块连接到半导体芯片，

其中半导体芯片和互连基板中的至少一个包括凸部，并且凸块布置在凸部上方。

在另一实施例中，半导体芯片和互连基板中的至少一个包括凸部。因此，凸块的高度能够形成得小。另外，根据此，凸块的直径能够形成得小。因此，能够以小节距布置凸块。

在另一实施例中，提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

利用磁屏蔽层涂覆半导体芯片，该半导体芯片包括磁存储器件和电极焊盘，该电极焊盘被布置在半导体芯片的第一面上方，并且半导体芯片被涂覆使得至少暴露电极焊盘；和

通过凸块将半导体芯片连接到互连基板，

其中半导体芯片和互连基板中的至少一个包括凸部，并且凸块被布置在凸部上方。

本发明使得能够以小节距布置凸块，即使半导体芯片被涂覆有磁屏蔽层。

附图说明

结合附图，根据某些优选实施例的以下描述，本发明的以上和其它方面、优点和特征将更加明显，其中：

图1是示出根据第一实施例的半导体器件的构造的截面图。

图2A和图2B是示出磁阻随机访问存储器的原理的图。

图3A和图3B是示出磁阻随机访问存储器的构造的图。

图4A和图4B是示出制造图1中所示的半导体器件的方法的截面图。

图5A和图5B是示出制造图1中所示的半导体器件的方法的截面图。

图6是示出根据第二实施例的半导体器件的构造的截面图。

图7A和图7B是示出制造图6中所示的半导体器件的方法的截面图。

图8A至图8C是示出制造根据第三实施例的半导体器件的方法的截面图。

图9是示出根据第四实施例的半导体器件的构造的截面图。

图10A是示出根据第五实施例的半导体器件的构造的截面图，并且图10B是图10A中示出的半导体器件的顶视图。

图11A是示出根据第六实施例的半导体器件的构造的截面图，并且图11B是图11A中所示的半导体器件的顶视图。

图12A是示出根据第七实施例的半导体器件的构造的截面图，并且图12B是示出图12A中所示的半导体器件的修改示例的截面图。

图13是示出凸部的详细结构的放大截面图。

图14是示出图13中所示的凸部的修改示例的截面图。

图15是示出根据第八实施例的半导体器件的构造的截面图。

图16是示出图15中所示的半导体器件的修改示例的截面图。

图17是示出图15中所示的半导体器件的修改示例的截面图。

图18是示出根据第九实施例的半导体器件的构造的截面图。

图19是示出根据第十实施例的半导体器件的构造的截面图。

图20是示出图19中所示的半导体器件的第一修改示例的截面图。

图21是示出图19中所示的半导体器件的第二修改示例的截面图。

图22是示出根据第七实施例的半导体器件的构造的截面图。

图23是示出图22中所示的半导体器件的修改示例的截面图。

图24A至图24E是示出磁屏蔽层的修改示例的透视图。