[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体芯片，所述半导体芯片包括磁存储器件和电极焊盘，所述电极焊盘被布置在所述半导体芯片的第一面上方；

磁屏蔽层，所述磁屏蔽层以至少暴露所述电极焊盘的方式涂覆所述半导体芯片；以及

互连基板，所述互连基板通过凸块连接到所述半导体芯片，

其中所述半导体芯片和所述互连基板中的至少一个包括凸部，并且所述凸块被布置在所述凸部上方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述磁屏蔽层覆盖所述半导体芯片的所述第一面的至少一部分，并且

所述磁屏蔽层具有覆盖所述第一面的覆盖部分，并且所述凸部没有重叠所述覆盖部分。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括：

树脂层，所述树脂层密封所述半导体芯片和所述互连基板之间的空间，

其中所述树脂层也形成在所述磁屏蔽层和所述凸部之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述凸部被布置在所述互连基板处。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述互连基板包括第一互连基板和第二互连基板，所述第二互连基板被布置在所述第一互连基板上方，并且

所述凸部是所述第二互连基板。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述互连基板包括：

部分地形成的保护膜；以及

金属柱，所述金属柱穿过所述保护膜，并且

其中所述凸部由所述保护膜和所述金属柱形成。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述互连基板部分地包括堆积区，并且

其中所述凸部由所述堆积区形成。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述凸部被布置在所述半导体芯片处。

9.根据权利要求8所述的半导体芯片，

其中所述半导体芯片包括在其面上的保护膜，所述凸部被布置在所述面上方，并且

所述凸部形成为高于所述保护膜。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述凸部是形成在所述电极焊盘上方的金属柱。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体芯片包括形成有所述磁存储器件的存储器存在区域和没有形成所述磁存储器件的存储器不存在区域，并且

当在平面图中看时，所述磁屏蔽层至少形成在重叠所述存储器存在区域的区域中。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中通过垂直于所述半导体芯片的方向上的磁场进行向所述磁存储器件的写入，并且

所述磁屏蔽层形成为从所述第一面通过所述半导体芯片的侧面到所述半导体芯片的第二面，所述第二面是定位在与所述第一面相反的侧上的面。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，

其中所述半导体芯片具有矩形形状，并且

所述磁屏蔽层包括：

开口，所述开口用于在面向所述第一面的区域中暴露所述电极焊盘，

其中所述侧面位于所述半导体芯片的一侧上并且所述磁屏蔽层形成为通过所述侧面，并且在所述一侧附近没有形成沿着所述一侧具有长形状的所述开口。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，

其中所述磁屏蔽层在面向所述侧面的区域中具有厚度，所述厚度大于面向所述第一面和所述第二面的区域中的所述磁屏蔽层的各厚度。

15.根据权利要求12所述的半导体器件，

其中所述磁屏蔽层具有面向所述侧面的区域，当在垂直于所述半导体芯片的截面中看时，所述区域是弯曲的。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中通过与所述半导体芯片水平的方向上的磁场发生对所述磁存储器件的写入，并且

所述半导体芯片具有其上没有形成所述电极焊盘的面，并且仅在该面中形成所述磁屏蔽层。

17.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

用磁屏蔽层涂覆半导体芯片，所述半导体芯片包括磁存储器件和电极焊盘，所述电极焊盘被布置在所述半导体芯片的第一面上方，并且以至少暴露所述电极焊盘的方式涂覆所述半导体芯片；以及

通过凸块将所述半导体芯片连接到互连基板，

其中所述半导体芯片和所述互连基板中的至少一个包括凸部，并且所述凸块被布置在所述凸部上方。