[发明专利]一种成长无缝填充非晶硅沟槽的方法无效
| 申请号： | 201110348910.5 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094075A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李琳松;孙勤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/24;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 成长 无缝 填充 非晶硅 沟槽 方法 | ||
1.一种成长无缝填充非晶硅沟槽的方法，其特征在于：通过炉管LPCVD成膜外加后续高温炉管热处理，以形成现成无缝填充非晶硅沟槽。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法，其步骤包括：
(1)于LPCVD炉管完成沟槽的非晶硅沉积反应，其中，沉积温度为450～700℃，沉积压力为10～1000帕；
(2)对已经存在缝隙的非晶硅填充沟槽进行热处理反应，其中，热处理温度为700～1200℃，热处理时间为10分钟～100小时，热处理的反应保护性气体包括非氧化气体，其气体流量为0.2～100LM。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，沉积温度为530℃，沉积压力为25帕。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，热处理温度为900℃。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，热处理时间为3小时。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，热处理的反应保护性气体为氮气。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，热处理的反应机型，包括：炉管、Chamber式热处理机型。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，热处理的反应机型为炉管。
9.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述沉积反应与热处理反应，在同一机型完成，或分开到不同的机型进行。
10.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述热处理反应能一步完成，或分多步进行；
其中，多步进行时，不同步之间能设定不同的反应温度、时间和气体流量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
