[发明专利]一种半导体多数形成的控制方法

说明书

技术领域

本发明公开了一种半导体多数形成的控制方法，属于电子技术领域。

背景技术

随着通讯网路的广泛发展，诸如电讯会议，远距教学，远端监控的远距通讯在工作及 家庭生活中变得更为普遍，这导致对低价大面积显示器来提供加强视觉效果的需求，因此， 需要一种形成数个半导体的方法及系统处理上述产量及解析度的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种半导体多数形成的控制方法，用以解决上述技术中的不足。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种半导体多数形成的控制方法，其控制 方法的具体步骤是：

(1)蚀刻部分金属层及介电层；

(2)沉积一掺杂的矽层；

(3)沉积源极-汲极金属层；

(4)提供平坦化材料至该源极-汲极金属层；

(5)移除平坦化材料的一部分；

(6)移除该源极-汲极金属层的暴露部分；

(7)薄化压印高分子的暴露部分；

(8)移除闸极金属层部分。

本发明的有益效果是：廉价且容易适用于现存技术，有利于新技术的推广与使用。

附图说明

图1是本发明控制方法的流程图

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步说明。

如图1所示，一种半导体多数形成的控制方法的具体步骤是：

(1)蚀刻部分金属层及介电层；

(2)沉积一掺杂的矽层；

(3)沉积源极-汲极金属层；

(4)提供平坦化材料至该源极-汲极金属层；

(5)移除平坦化材料的一部分；

(6)移除该源极-汲极金属层的暴露部分；

(7)薄化压印高分子的暴露部分；

(8)移除闸极金属层部分。