[发明专利]金属氧化物阻变存储器及制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物阻变存储器，其特征在于：金属氧化物阻变存储器的阻变存储介质层的材料为由氧化硅和金属氧化物组成的复合材料。

2.如权利要求1所述的金属氧化物阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储介质层的底端和硅单晶基底接触，在所述硅单晶基底上形成有和所述硅单晶基底表面直接接触的通孔；在所述硅单晶基底上还形成有和所述阻变存储介质层的顶端直接接触的通孔；各所述通孔的顶部为引出端且和金属连线层连接，所述阻变存储介质层的底端通过和所述硅单晶基底表面直接接触的通孔和所述金属连线层连接，所述阻变存储介质层的顶端通过和所述阻变存储介质层的顶端直接接触的通孔和所述金属连线层连接。

3.一种金属氧化物阻变存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在硅单晶基底上形成金属层；

步骤二、对所述硅单晶基底进行退火处理，使所述金属层和所述硅单晶基底的硅进行合金化形成金属合金；

步骤三、对所述硅单晶基底进行氧化处理，使所述金属合金被氧化并形成氧化硅和金属氧化物，由所述氧化硅和所述金属氧化物组成金属氧化物阻变存储器的阻变存储介质层。

4.如权利要求3所述金属氧化物阻变存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述阻变存储介质层之后，还包括如下步骤：

步骤四、在所述硅单晶基底表面淀积层间绝缘层；

步骤五、在所述层间绝缘层中形成和所述硅单晶基底表面直接接触的通孔、以及和所述阻变存储介质层的顶端直接接触的通孔；

步骤六、在所述通孔顶部形成金属连线层，所述阻变存储介质层的底端通过和所述硅单晶基底表面直接接触的通孔和所述金属连线层连接，所述阻变存储介质层的顶端通过和所述阻变存储介质层的顶端直接接触的通孔和所述金属连线层连接。