[发明专利]晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件

权利要求书

1.一种晶体管制作方法，包括：

提供衬底，并且在该衬底上形成第一绝缘层；

在该第一绝缘层上定义第一器件区；

在该第一绝缘层上围绕该第一器件区形成侧墙隔离物；

在该第一绝缘层上定义第二器件区，该第二器件区通过该侧墙隔离物与该第一器件区隔离；以及

分别在该第一器件区和第二器件区中形成晶体管结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在该第一绝缘层上定义第一器件区的步骤包括：

在该第一绝缘层上顺序淀积第一半导体层和第一掩模层；以及

图案化该第一半导体层和第一掩模层以定义该第一器件区。

3.根据权利要求2所述的方法，其中图案化该第一半导体层和第一掩模层的步骤包括：

应用光致抗蚀剂层于该第一掩模层上；

通过光刻形成图案化的光致抗蚀剂层；以及

以图案化的光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻掉第一掩模层和第一半导体层的一部分，从而露出该第一绝缘层的表面。

4.根据权利要求2所述的方法，其中在该第一绝缘层上定义第二器件区的步骤包括：

淀积第二半导体层以覆盖该第一绝缘层的露出部分、该侧墙间隔物和该第一掩模层；

淀积第二掩模层以填满该第一绝缘层的露出部分上的该第二半导体层上方的凹槽；

抛光该第二掩模层和第二半导体层，以与该侧墙间隔物和第一掩模层的顶部齐平；

以该第一掩模层和第二掩模层为掩模，移除该侧墙间隔物的侧面上的该第二半导体层；以及

移除该第一掩模层和第二掩模层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中抛光该第二掩模层和第二半导体层的步骤包括：

抛光第二掩模层以与第一器件区中的第二半导体层的顶部齐平；以及

抛光该第二掩模层和第二半导体层以与该侧墙间隔物和第一掩模层的顶部齐平。

6.根据权利要求4所述的方法，其中抛光包括化学机械抛光。

7.根据权利要求4所述的方法，其中形成晶体管结构的步骤包括：

在该第一半导体层和第二半导体层上形成栅极堆叠；以及

在所述栅极堆叠之间自对准地形成源漏接触窗，其中该源漏接触窗低于该侧墙间隔物。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在形成栅极堆叠之前，通过激光照射来退火该第一半导体层和第二半导体层。

9.根据权利要求7所述的方法，其中形成栅极堆叠的步骤包括：

在该第一半导体层和第二半导体层上形成栅极电介质。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成该栅极堆叠包括：

在该第一半导体层和第二半导体层上形成高k电介质；以及

在该高k电介质上形成金属栅极。

11.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在该栅极堆叠的侧壁形成栅极侧墙隔离物。

12.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在形成源漏接触窗之前，金属化该第一半导体层和第二半导体层的露出部分，以形成源漏接触区域。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：

利用在该第一器件区和第二器件区中形成的晶体管结构，形成CMOS晶体管。

14.根据权利要求4所述的方法，其中该第一半导体层包括N型多晶硅，且该第二半导体层包括P型多晶硅。

15.根据权利要求1所述的方法，其中该第一绝缘层选自由下述材料组成的群组：氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。

16.根据权利要求1所述的方法，其中该侧墙隔离物选自由下述材料组成的群组：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅和碳氧化硅。

17.根据权利要求11所述的方法，其中该栅极侧墙隔离物选自由下述材料组成的群组：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅和碳氧化硅。