[发明专利]制作半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201110335781.6 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094109A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层；
b）对所述多晶硅层进行N型栅极预掺杂工艺；
c）对所述多晶硅层进行刻蚀，以形成N型多晶硅栅；
d）执行N型浅掺杂工艺，以在所述多晶硅栅两侧的所述半导体衬底中形成N型浅掺杂区；以及
e）执行N型源/漏极掺杂工艺，以在所述多晶硅栅两侧的所述半导体衬底中形成N型源极和N型漏极，
其中，在所述b）步骤的栅极预掺杂工艺、所述d）步骤的N型浅掺杂工艺和所述e）步骤的N型源/漏极掺杂工艺中的至少一个包括同时掺杂碳和氟。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过等离子化CF4和 C2F6中的至少一种来同时掺杂碳和氟。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型栅极预掺杂工艺中氟的掺杂剂量为1013-1017个/平方厘米。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型栅极预掺杂工艺中掺杂能量为1-100KeV。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型浅掺杂工艺中氟的掺杂剂量为1013-1017个/平方厘米。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型浅掺杂工艺中掺杂能量为1-50KeV。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型源/漏极掺杂工艺中氟的掺杂剂量为1013-1017个/平方厘米。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型源/漏极掺杂工艺中掺杂能量为1-100KeV。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述d）步骤之前还包括执行预非晶化注入的步骤，其中，注入元素为锗。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述d）步骤之后还包括N型浅掺杂工艺后的退火工艺。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述e）步骤之前还包括执行预非晶化注入的步骤，其中，注入元素为锗。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述e）步骤之后还包括N型源/漏极掺杂工艺后的退火工艺。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在半导体衬底和多晶硅层之间还形成有栅介电层。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为NMOS。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
