[发明专利]p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件

权利要求书

1.p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括自下而上的衬底、埋氧 层、n型掺杂层；所述n型掺杂层一端形成源极n阱，另一端形成漏极p阱，源 极n阱和漏极p阱之间为漏极扩展区；其特征在于，所述漏极扩展区由交错并 排的n型杂质条和p型杂质条构成，所述n型杂质条和p型杂质条的两端分别 与源极n阱和漏极p阱相接，所述p型杂质条的宽度和深度等于或略大于n型 杂质条的宽度和深度。

2.根据权利要求1所述的p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特 征在于，所述漏极扩展区的深度小于n型掺杂层的厚度。

3.根据权利要求1所述的p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特 征在于，所述器件处于关态时，所述n型杂质条和p型杂质条被耗尽。

4.根据权利要求1所述的p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特 征在于，所述源极n阱、漏极p阱及n型杂质条和p型杂质条均位于n型掺杂 层上面并包涵在n型掺杂层中。

5.根据权利要求1所述的p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特 征在于，所述漏极p阱和源极n阱的宽度不小于n型杂质条和p型杂质条的宽 度之和。

6.根据权利要求1所述的p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特 征在于，所述n型杂质条和p型杂质条的杂质注入剂量与其宽度成明显的反比 关系。

7.根据权利要求1所述的p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特 征在于，所述器件用于集成电路的有源元件。

8.根据权利要求7所述的p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特 征在于，所述集成电路为PDP寻址集成电路。