[发明专利]具有规则形状的石墨烯单晶畴的制备方法无效
申请号: | 201110304832.9 | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN102345168A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 王立;陈秀;刘拉程;柳树毅 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
主分类号: | C30B29/02 | 分类号: | C30B29/02;C30B29/64;C30B1/10 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 规则 形状 石墨 烯单晶畴 制备 方法 | ||
1. 一种具有规则形状的石墨烯单晶畴的制备方法,其特征是在金属表面上通过分子自组装技术和热处理方法使芳香族化合物能够形成有规则形状的石墨烯单晶畴。
2.如权利要求1所述具有规则形状的石墨烯单晶畴的制备方法,其特征是所述的金属表面,其中,金属表面包括由元素周期表中碱金属元素、碱土金属元素、类金属元素、过渡金属元素、镧系元素、锕系元素以及主族元素中的铝、镓、铟、锡、铊、铅、铋元素中的一种元素或者多种元素组成的金属表面。
3.如权利要求1所述的具有规则形状的石墨烯单晶畴的制备方法,其特征是热处理方法,其中,加热的方法包括:红外线加热、电磁加热、电子束轰击加热、微波加热、电阻炉、感应加热、辐射加热、激光、等离子体、表面等离子体激元加热。
4.如权利要求1所述的具有规则形状的石墨烯单晶畴的制备方法,其特征是热处理方法,其中,热处理温度和时间包括:在50°C至300°C之间的温度执行热处理0.001小时至100小时之间的时间。
5.如权利要求1所述的具有规则形状的石墨烯单晶畴的制备方法,其特征是芳香族化合物为碳源,其中,碳源包含芳香族化合物其族内的一种或多种的组合物,或者芳香族化合物其族内的一种或者多种与其他物质的组合物。
6.如权利要求1所述的具有规则形状的石墨烯单晶畴的制备方法,其特征是石墨烯畴,其中,单一的规则形状的石墨烯单晶畴的长度尺寸在1nm~500nm,面积范围为1nm2~10000 nm2。
7.如权利要求1所述的具有规则形状的石墨烯单晶畴的制备方法,其特征是所述规则形状,其中,规则形状包括:三角形,四边形,五边形,六边形,七边形,八边形,九边形,十边形,以及包含前述形状中一种或者多种形状的组合。
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