[发明专利]生产III族氮化物半导体发光器件的方法

权利要求书

1.一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件包括顺序沉积在缓冲层上的由III族氮化物半导体制成的n型层、发光层以及p型层，所述缓冲层沉积在具有c面主表面的蓝宝石衬底上，所述主表面具有织构结构，所述方法包括：

在所述蓝宝石衬底的主表面上形成所述织构，以具有1μm至2μm的深度；

在比形成所述n型层时的温度低20℃至80℃的温度下，在所述缓冲层上形成III族氮化物半导体的掩埋层，以通过掩埋所述织构而使顶表面平坦化；以及

在1000℃至1200℃的温度下在所述掩埋层上形成所述n型层。

2.根据权利要求1所述的用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述掩埋层掺杂有Si。

3.根据权利要求2所述的用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述掩埋层以1×10¹⁷/cm³至1×10²⁰/cm³的浓度掺杂有Si。

4.根据权利要求1所述的用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述掩埋层具有1μm至3μm的厚度。

5.根据权利要求1所述的用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，其中提供在所述蓝宝石衬底上的所述织构的侧表面倾斜40°至80°。

6.根据权利要求1所述的用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述缓冲层由AlN形成。

7.一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件包括顺序沉积在缓冲层上的由III族氮化物半导体制成的n型层、发光层以及p型层，所述缓冲层沉积在具有c面主表面的蓝宝石衬底上，所述主表面具有织构结构，所述方法包括：

在所述蓝宝石衬底上形成所述织构，以具有倾斜40°至80°的侧表面以及1μm至2μm的深度；

在600℃至1050℃的温度下，在所述缓冲层上形成防止所述缓冲层的传质的III族氮化物半导体的防护层，以覆盖所述缓冲层的整个顶表面；以及

在1050℃至1200℃的温度下在所述防护层上形成所述n型层。

8.根据权利要求7所述的用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述缓冲层由AlN形成，并且所述防护层在900℃至1050℃的温度下形成。

9.根据权利要求7所述的用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述缓冲层由GaN形成；并且氮用作加热中的载气，以形成所述n型层。

10.根据权利要求7所述的用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述防护层具有20nm至1000nm的厚度。

11.一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件包括顺序沉积在缓冲层上的由III族氮化物半导体制成的层，所述缓冲层沉积在具有c面主表面的蓝宝石衬底上，所述主表面具有织构结构，所述方法包括：

在所述蓝宝石衬底上形成所述织构，以具有1.2μm至2.5μm的深度以及倾斜40°至80°的侧表面；以及

形成含有Al的III族氮化物半导体的缓冲层。

12.根据权利要求11所述的用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述缓冲层由具有50％或更大的Al组成比的AlGaN形成。

13.根据权利要求12所述的用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述缓冲层由AlN形成。

14.根据权利要求11所述的用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在形成所述蓝宝石衬底之后在形成所述缓冲层之前，在1000℃至1200℃的温度下在氢气氛中进行热处理。