[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件制作方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括冗余金属区、辅助图形冗余金属区和非冗余金属区；

在所述半导体衬底上形成介质层；

减薄所述非冗余金属区上的介质层；

刻蚀所述介质层以形成冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽，所述冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽的深度小于所述金属导线槽的深度；

在所述冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层；

进行化学机械研磨工艺直至暴露出所述介质层的表面，以形成冗余金属线、辅助图形冗余金属线和金属导线，所述冗余金属线和辅助图形冗余金属线的高度小于所述金属导线的高度。

2.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成介质层之前，还包括：在所述半导体衬底上形成刻蚀停止层。

3.一种半导体器件制作方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括冗余金属区、辅助图形冗余金属区和非冗余金属区；

在所述半导体衬底上形成介质层和硬掩膜层；

去除所述冗余金属区和非冗余金属区上的硬掩膜层；

减薄所述非冗余金属区和冗余金属区上的介质层，使所述冗余金属区上剩余的介质层厚度大于所述非冗余金属区上剩余的介质层厚度；

刻蚀所述介质层以同时形成冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽，所述辅助图形冗余金属槽的深度小于所述冗余金属槽的深度，所述冗余金属槽的深度小于所述金属导线槽的深度；

在所述冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层；

进行化学机械研磨工艺直至暴露出所述介质层的表面，以形成冗余金属线、辅助图形冗余金属线和金属导线，所述辅助图形冗余金属线的高度小于所述冗余金属线的高度，所述冗余金属线的高度小于所述金属导线的高度。

4.如权利要求3所述的半导体器件制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成介质层之前，还包括：在所述半导体衬底上形成刻蚀停止层。

5.一种半导体器件制作方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括冗余金属区、辅助图形冗余金属区和非冗余金属区；

在所述半导体衬底上形成介质层；

减薄所述非冗余金属区上的介质层；

刻蚀所述非冗余金属区上的介质层形成通孔；

刻蚀所述介质层以形成冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽，并在所述通孔对应位置形成金属导线槽，所述冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽的深度小于所述金属导线槽的深度；

在所述冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层；

进行化学机械研磨工艺直至暴露出所述介质层的表面，以形成冗余金属线、辅助图形冗余金属线和金属导线，所述冗余金属线和辅助图形冗余金属线的高度小于所述金属导线的高度。

6.如权利要求5所述的半导体器件制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成介质层之前，还包括：在所述半导体衬底上形成刻蚀停止层。

7.一种半导体器件制作方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括冗余金属区、辅助图形冗余金属区和非冗余金属区；

在所述半导体衬底上依次形成介质层和硬掩膜层；

去除所述冗余金属区和非冗余金属区上的硬掩膜层；

减薄所述非冗余金属区和冗余金属区上的介质层，所述冗余金属区上剩余的介质层厚度大于所述非冗余金属区上剩余的介质层厚度；

刻蚀所述非冗余金属区上的介质层形成通孔；

刻蚀所述介质层以形成冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽，并在所述通孔对应位置形成金属导线槽，所述辅助图形冗余金属槽的深度小于所述冗余金属槽的深度，所述冗余金属槽的深度小于所述金属导线槽的深度；

在所述冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层；

进行化学机械研磨工艺直至暴露出所述介质层的表面，以形成冗余金属线、辅助图形冗余金属线和金属导线，所述辅助图形冗余金属线的高度小于所述冗余金属线的高度，所述冗余金属线的高度小于所述金属导线的高度。