[发明专利]用于半导体装置的粘合剂片及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于半导体装置的粘合剂片及其制造方法。更具体地，本发明涉及一种用于半导体装置的粘合剂片及其制造方法，其中离型元件具有未切割部分厚度与离型元件总厚度的预定比例、切割部分之间的预定距离、以及40N/15mm或更大的剪切强度，从而保持卷形稳定性。

背景技术

在将半导体晶圆切割成单个芯片的工艺中，芯片贴附膜贴附到晶圆的背面。芯片贴附膜可具有双层结构，其中切割膜与接合膜组合用作晶圆贴附的接合层。

已知有将具有这种双层结构的粘合剂片预切成构成半导体装置的晶圆形状的方法。预切工艺是对应于晶圆形状预切接合膜，并从接合膜而非与晶圆接合部分去除树脂层的工艺。在预切工艺中，将接合膜对应于晶圆形状预切，并与压敏粘合剂膜接合，再进行预切工艺。

然而，如果在预切工艺中刀片深深地穿入粘合剂片中，则粘合剂片会被用于保持卷形而施加的卷绕张力损坏。相反，如果施加弱卷绕张力以防止这种损坏，粘合剂片具有较低卷的卷绕性能，导致卷形稳定性的问题。

此外，在预切工艺中，尽管在粘合剂片的形状稳定性方面，切割部分的深度至关重要，然而难以在制造工艺中测定深度，且该深度可根据因刀片的磨损刀口的位置而不一致。

发明内容

本发明的一个方面提供一种用于半导体装置的粘合剂片，所述粘合剂片包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜。所述离型元件包括从所述接合层的横侧沿着所述接合层的外围形成的第一切割部分，和沿着所述压敏粘合剂层和所述基膜的外围形成的第二切割部分。所述第一切割部分和所述第二切割部分厚度各自可小于所述离型元件的厚度，且所述离型元件可具有40N/15mm至90N/15mm范围内的剪切强度。

在一个实施方式中，从所述离型元件除去所述第一切割部分或所述第二切割部分产生的未切割部分厚度可为所述离型元件厚度的20％至80％。

在一个实施方式中，从所述离型元件除去所述第二切割部分产生的未切割部分厚度与从所述离型元件除去所述第一切割部分产生的未切割部分厚度之比可大于1。

在一个实施方式中，所述未切割部分厚度可为所述离型元件总厚度的30％至70％，且所述离型元件可具有40N/15mm至90N/15mm的剪切强度。

在一个实施方式中，所述第一切割部分和所述第二切割部分之间的距离可为10mm至30mm。

本发明另一个方面提供了一种用于半导体装置的粘合剂片的制造方法，所述用于半导体装置的粘合剂片包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜，所述方法包括：

在所述离型元件上堆积所述接合层；

从所述接合层接触所述离型元件的面的相反面将第一预切刀片置于所述离型元件中并将所述接合层切成第一平面形状来形成第一切割部分；

去除具有第一平面形状部分之外的所述接合层；

在所述接合层上堆积压敏粘合剂片，使得所述压敏粘合剂层和所述基膜堆叠，同时相互接触；以及

从所述基膜接触所述压敏粘合剂层的面的相反面将第二预切刀片置于所述离型元件中并将所述压敏粘合剂片切成第二平面形状来形成第二切割部分；

其中所述第一切割部分和所述第二切割部分各自具有比所述离型元件小的厚度，且所述离型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度与所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度之比大于1。

附图说明

由以下结合附图的详细说明，本发明的以上和其它方面、特征和优点将变得明显，其中：

图1示出了根据本发明一个实施方式的用于半导体装置的粘合剂片的实例；且

图2示出了根据本发明一个实施方式的用于半导体装置的粘合剂片的制造方法实例。

具体实施方式

本发明的各方面提供一种用于半导体装置的粘合剂片，所述粘合剂片包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜；其中所述离型元件包括从所述接合层的横侧沿着所述接合层的外围形成的第一切割部分，和沿着所述压敏粘合剂层和所述基膜的外围形成的第二切割部分；所述第一切割部分和所述第二切割部分的各自厚度可小于所述离型元件的厚度，且所述离型元件可具有40N/15mm或更大的剪切强度。

在上述用于半导体装置的粘合剂片中，离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜依次堆叠。具体地，包括离型元件和接合层的接合片堆积在包括压敏粘合剂层和基膜的压敏粘合剂片上，使得接合层和压敏粘合剂层相互接触，从而构成具有堆叠结构的半导体装置用粘合剂片。