[发明专利]用于半导体装置的粘合剂片及其制造方法

权利要求书

1.一种用于半导体装置的粘合剂片，包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜，

其中所述离型元件包括从所述接合层的横侧沿着所述接合层的外围形成的第一切割部分，和沿着所述压敏粘合剂层和所述基膜的外围形成的第二切割部分，

所述第一切割部分和所述第二切割部分的各自厚度小于所述离型元件的厚度，

所述离型元件具有40N/15mm至90N/15mm范围内的剪切强度。

2.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度或所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度为所述离型元件厚度的20％至80％。

3.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中所述离型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度与所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度之比例大于1。

4.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中未切割部分厚度为所述离型元件厚度的30％至70％，且所述离型元件具有40N/15mm至90N/15mm的剪切强度。

5.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度为所述离型元件厚度的20％至70％，且所述离型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度为所述离型元件厚度的30％至80％。

6.根据权利要求3所述的粘合剂片，其中所述比例在1.01至3的范围内。

7.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中所述第一切割部分和所述第二切割部分之间的距离为10mm至30mm。

8.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中所述接合层具有直径为220mm至320mm的圆形形状，且所述压敏粘合剂层和所述基膜具有直径为所述接合层直径的1.10倍至1.30倍的圆形形状。

9.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中所述用于半导体装置的粘合剂片具有卷形。

10.一种用于半导体装置的粘合剂片的制造方法，所述用于半导体装置的粘合剂片包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜，所述方法包括：

在所述离型元件上堆积所述接合层；

从所述接合层接触所述离型元件的面的相反面将第一预切刀片置于所述离型元件中并将所述接合层切成第一平面形状来形成第一切割部分；

去除具有第一平面形状部分之外的所述接合层；

在所述接合层上堆积压敏粘合剂片，使得所述压敏粘合剂层和所述基膜堆叠，同时相互接触；以及

从所述基膜接触所述压敏粘合剂层的面的相反面将第二预切刀片置于所述离型元件中并将所述压敏粘合剂片切成第二平面形状来形成第二切割部分；

其中所述第一切割部分和所述第二切割部分各自具有比所述离型元件小的厚度，且所述离型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度与所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度之比大于1。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度或所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度为所述离型元件厚度的20％至80％，且所述第一切割部分和所述第二切割部分之间的距离为10mm至30mm。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度为所述离型元件厚度的20％至70％，且所述离型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度为所述离型元件厚度的30％至80％。