[发明专利]垂直式发光二极管结构及其制备方法

权利要求书

1.一种垂直式发光二极管结构，包括多个发光二极管，其特征在于，该每一发光二极管包括一第一电极、一半导体磊晶层及一第二电极，且该每一发光二极管的第二电极与相邻的发光二极管的第一电极是以串联或并联方式相互连接。

2.如权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，所述半导体磊晶层包括一第一半导体磊晶层、一活性层、以及第二半导体磊晶层。

3.如权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该每一发光二极管还包括一保护层，设置于该半导体磊晶层的一侧壁。

4.如权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该每一发光二极管还包括一反射层，设置于该半导体磊晶层的一侧。

5.如权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该每一发光二极管还包括一绝缘层与一基板，该基板配置于该些发光二极管的一侧。

6.如权利要求2所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该第一半导体磊晶层以及该第一电极是P型，该第二半导体磊晶层以及该第二电极是N型。

7.如权利要求2所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该第一半导体磊晶层以及该第一电极是N型，该第二半导体磊晶层以及该第二电极是P型。

8.如权利要求3所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该保护层的材质为绝缘性碳化物、或绝缘性氧化物。

9.如权利要求8所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该保护层的材质为类金刚石镀膜。

10.如权利要求4所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该反射层的材质是选自由：铝、银、镍、钛、及其混合物所组成。

11.如权利要求5所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该绝缘层的材质是选自由：碳化物、氧化物、氮化物、及其混合物所组成。

12.如权利要求11所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该绝缘层的材质是类金刚石镀膜。

13.如权利要求5所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该基板的材质是选自由：金属、陶瓷、或高分子材质。

14.如权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该每一发光二极管是垂直式发光二极管。

15.如权利要求5所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该些发光二极管是于该基板上以同一平面配置。

16.如权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该每一发光二极管的半导体磊晶层的组成为氧化铝、硅、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铝、氮化镓、石墨、六方氮化硼、或金刚石。

17.如权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该每一发光二极管为白光发光二极管。

18.如权利要求5所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该绝缘层是将该发光二极管所产生的热量导出。

19.如权利要求12所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该类钻碳的蓝光吸收率是小于20％。

20.如权利要求12所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该类钻碳层的层数为一层。

21.如权利要求12所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该类钻碳层的层数为二层至十层。

22.如权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，驱动电流是大于1A。

23.如权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其特征在于，该第一电极的材质是选自由：钛、金、铜、银、铝、镍、钨及其合金所组成。