[发明专利]用于化学气相沉积机台的真空泵的排气管及相应的真空泵无效
申请号: | 201110285412.0 | 申请日: | 2011-09-23 |
公开(公告)号: | CN102304702A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 陈鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 欧阳启明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 化学 沉积 机台 真空泵 排气管 相应 | ||
技术领域
本发明涉及半导体生产领域,特别是涉及可延长机台的维护周期的用于化学气相沉积机台的真空泵的排气管及相应的真空泵。
背景技术
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition:等离子体增强化学气相沉积)机台在整个TF T(Thin Film Transistor:薄膜场效应晶体管)制造中负责多个薄膜层的气相沉积。如图1所示,100为PECVD机台的反应室,200为真空泵,300为真空泵的排气管,400为废气处理机(scrubber)。在沉积过程中,薄膜不仅会在玻璃基板表面上生长,也会在反应室100的内壁上生长,没有反应完的气体会被真空200泵抽至废气处理机400内做燃烧处理。在整个化学气相沉积过程中,总的气体利用率不到10%,大量没有反应的气体被排走。废气被排至真空泵200的出口端时,压力会回升至600帕,温度降低到100度左右,O2浓度迅速升高。此时废气中的成分有SiH4、H2、N2以及NH3等。废气中的气体相互反应或者与排气管300的内壁反应,生成粉末堵塞真空泵200出口端的排气管300,使真空泵200出口端的排气管300排气不畅,导致主机台报警,产品报废。目前对于真空泵200出口端的排气管300易堵的主要处理办法是:每两周将真空泵200出口端的排气管300拆除,用水洗净并干燥后重新装入。整个过程需两人作业,一个反应室的清洁管路作业耗时约1小时,浪费人力以及时间,影响机台设备的可使用时间。
故,有必要提供一种用于化学气相沉积机台的真空泵的排气管及相应的真空泵,以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种不易产生堵塞的用于化学气相沉积机台的真空泵的排气管及相应的真空泵,以解决现有技术的真空泵出口端的排气管易产生堵塞造成清理排气管的人力、时间的浪费以及对PECVD机台设备可使用时间的影响的技术问题。
本发明涉及一种用于化学气相沉积机台的真空泵的排气管,其两端分别与所述真空泵的出口端以及废气处理机连接,其特征在于,在所述排气管中设置有紧贴所述排气管内壁的防粘内衬管。
在本发明的一实施例中,所述防粘内衬管的材料为聚四氟乙烯。
在本发明的一实施例中,所述防粘内衬管设置在所述真空泵的出口端与所述排气管的连接处。
在本发明的一实施例中,所述防粘内衬管设置在所述废气处理机与所述排气管的连接处。
在本发明的一实施例中,所述防粘内衬管同时设置在所述真空泵的出口端与所述排气管的连接处,以及所述废气处理机与所述排气管的连接处。
在本发明的一实施例中,所述排气管在未设置所述防粘内衬管的相应部位的外表面设置有加热带。
在本发明的一实施例中,所述防粘内衬管设置在整个所述排气管的内壁。
本发明还涉及一种用于化学气相沉积机台的真空泵,其两端分别与所述化学气相沉积机台的排气口以及废气处理机连接,所述真空泵包括与所述废气处理机连接的排气管,其中在所述排气管中设置有紧贴所述排气管内壁的防粘内衬管,所述防粘内衬管的材料为聚四氟乙烯。
在本发明的一实施例中,所述防粘内衬管设置在所述真空泵的出口端与所述排气管的连接处和/或所述废气处理机与所述排气管的连接处。
在本发明的一实施例中,所述防粘内衬管设置在整个所述排气管的内壁。
相较于现有的用于化学气相沉积机台的真空泵的排气管易产生堵塞造成清理排气管的人力、时间的浪费以及对PECVD机台设备可使用时间的影响,本发明的用于化学气相沉积机台的真空泵的排气管及相应的真空泵使用材料为聚四氟乙烯的防粘内衬管使得化学气相沉积机台排出的废气不易在排气管中产生堵塞,从而避免上述现有技术的缺陷。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
附图说明
图1为现有技术的化学气相沉积、排气以及废气处理系统的连接示意图;
图2为本发明的用于化学气相沉积机台的真空泵的排气管的优选实施例的连接示意图;
图3为图1的A-A的截面图;
图4为图1的B-B的截面图。
具体实施方式
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的