[发明专利]无引脚半导体引线框架焊铝箔方法

权利要求书

1.无引脚半导体引线框架焊铝箔方法，其特征在于：步骤包括：

A．把垫块安装在超声波焊接机的机台上，所述垫块的顶部具有支撑引线框架的框架连杆的连杆凸台和支撑引线框架的引脚的引脚凸台；

B．把引线框架传送到所述垫块的上方，所述引线框架的每颗引线框架单元包括焊片区和两端各四个引脚，所述焊片区焊接有芯片，每颗引线框架单元的不设置引脚的两端由框架连杆与相邻引线框架单元的框架连杆连接，所述框架连杆与焊片区连接，相邻的引线框架单元的框架连杆和引脚均连续地有连杆凸台和引脚凸台支撑；调整每个引线框架单元的框架连杆与垫块的连杆凸台的配合性，调整每个引线框架单元的引脚与垫块的引脚凸台的配合性；

C．安装压爪，所述引线框架单元每隔一颗在其左右两边各压着一套压爪，每套压爪有3层，分别压着在被压着的引线框架单元的引脚、框架连杆和焊片区，然后校正压爪和被压着的引线框架单元的配合性；

D．垫块垫紧引线框架单元的同时压爪压紧引线框架单元；

E．超声波焊接头对被垫块和压爪压着的引线框架单元进行焊铝箔作业，将铝箔焊接在所述引脚和芯片，然后超声波焊接头移动两个引线框架单元间距的距离对相邻的被垫块和压爪压着的引线框架单元进行焊铝箔作业；

F．松开压爪，移动引线框架将未焊接铝箔的引线框架单元压着在垫块和压爪间，再按照步骤B－E进行焊接；

G．重复步骤F，直至全部引线框架单元完成铝箔焊接。

2.根据权利要求1所述的无引脚半导体引线框架焊铝箔方法，其特征在于：所述引线框架的外形尺寸为250.000±0.100×70.000±0.050mm，其包括有四个框架块，每个框架块内设置有引线框架单元，每颗相邻的所述引线框架单元的中心间距在3－4mm内，每个框架块有182颗所述引线框架单元，每颗所述引线框架单元由焊片区和两端各四个引脚构成，一端的四个引脚与所述焊片区相连接作为接地极，另一端的四个引脚中有三只相连作为源极供焊铝箔使用，另一独立引脚作为栅极供焊线用。

3.根据权利要求2所述的无引脚半导体引线框架焊铝箔方法，其特征在于：相邻引线框架单元之间的切割道为0.30mm宽。

4.根据权利要求2所述的无引脚半导体引线框架焊铝箔方法，其特征在于：所述源极尺寸为2.10×0.564mm。

5.根据权利要求2所述的无引脚半导体引线框架焊铝箔方法，其特征在于：每个框架块内的引线框架单元排成13×14的阵列。

6.根据权利要求1所述的无引脚半导体引线框架焊铝箔方法，其特征在于：所述压爪包括分别布置于所述框架左右两边的两个压爪组，每个压爪组分别压着在所述引线框架的两边，每个压爪组包括第一压爪、第二压爪和第三压爪，所述第一压爪压着在引脚，所述第二压爪压着在框架连杆，所述第三压爪压着在焊片区。

7.根据权利要求6所述的无引脚半导体引线框架焊铝箔方法，其特征在于：每个压爪包括连接于机台的连接部和压着于引线框架的压爪部。

8.根据权利要求6所述的无引脚半导体引线框架焊铝箔方法，其特征在于：第二压爪的连接部固定在第一压爪和第三压爪之间，所述第一压爪、第二压爪和第三压爪的压爪部末端平齐。

9.根据权利要求5所述的无引脚半导体引线框架焊铝箔方法，其特征在于：所述连杆凸台的高为0.19mm，宽为0.1mm；所述引脚凸台的高为0.09－0.11mm，宽为0.24－0.26mm；所述连杆凸台和引脚凸台各有14个，并排成一列，相邻的连杆凸台之间的间距为3.2－3.5mm，相邻的引脚凸台之间的间距为3.2－3.5mm。

10.根据权利要求5所述的无引脚半导体引线框架焊铝箔方法，其特征在于：所述垫块包括用于安装在超声波焊接机的垫块基座和位于垫块基座的上部的垫块主体，所述连杆凸台和引脚凸台设置于所述垫块主体的顶部；所述垫块基座的一角设置有防反倒角。