[发明专利]发光二极管的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光源(semiconductor light source)，尤其涉及一种发光二极管(light-emitting diode，LED)的制造方法。

背景技术

于本处使用的发光二极管为用于产生具有特定波长或介于一特定波长范围的一光线的一半导体光源。通常发光二极管用于显示灯(indicator lamp)中，且逐渐地应用于显示器(displays)中。当施加电压并横跨于由相反掺杂的半导体化合物膜层所形成的一p-n结时，发光二极管可发出光线。使用不同材料以改变半导体层的能隙以及形成一有源层于p-n结内可产生不同波长的光线。此外，选择性的荧光材料则改变了由发光二极管所产生光线的特性。

发光二极管的持续发展已形成了可覆盖可见光光谱及其后波长的有效且机械上耐用的光源。当其耦接于可能的长效固态元件时，将可形成多种新的显示方面应用，并可使得发光二极管处于可与固有的白炽及荧光灯具相竞争的一地位。然而，仍需要持续思考制造工艺的改善，以制作出高效率与机械上耐用的发光二极管。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种发光二极管的制造方法，以制作出较佳的发光二极管。

依据一实施例，本发明提供了一种发光二极管的制造方法，包括：

提供一蓝宝石基板；形成一发光结构于该蓝宝石基板上，该发光结构包括：一第一掺杂层，掺杂有第一导电类型的一第一掺质；一有源层，位于该第一掺杂层之上；以及一第二掺杂层，位于该有源层之上，该第二掺杂层掺杂有相反于该第一导电类型的一第二导电类型的一第二掺质；研磨该蓝宝石基板的一背面，以移除该蓝宝石基板的一部；以及借由蚀刻以移除该蓝宝石基板的一剩余部。

依据另一实施例，本发明提供了一种发光二极管的制造方法，包括：

提供一成长基板；形成一发光结构于该成长基板之上，该发光结构包括：一缓冲层；一第一掺杂层，位于该缓冲层之上，该第一掺杂层掺杂有第一类型的一第一掺质；一有源层，位于该第一掺杂层之上；以及一第二掺杂层，位于该有源层之上，该第二掺杂层掺杂有相反于该第一类型的一第二类型的一第二掺质；蚀刻出多个沟道于该发光结构内，以形成具有露出侧壁的多个发光平台结构；沉积一保护层以覆盖该露出侧壁；借由研磨该成长基板的一背面，以移除该成长基板的一第一部；以及借由蚀刻以移除该成长基板的一剩余部。

依据又一实施例，本发明提供了一种发光二极管的制造方法，包括：

提供一成长基板；形成一发光结构于该成长基板之上，该发光结构包括：一缓冲层；一第一掺杂层，位于该缓冲层之上，该第一掺杂层掺杂有一第一类型的一第一掺质；一有源层，位于该第一掺杂层之上；以及一第二掺杂层，位于该有源层之上，该第二掺杂层掺杂有相反于该第一类型的一第二类型的一第二掺质；蚀刻出多个沟道于该发光结构内，以形成多个发光平台结构；借由研磨该成长基板的一背面，以移除该成长基板的一第一部，使得该成长基板的一剩余部约为5微米；以及借由等离子体蚀刻或湿蚀刻以移除该成长基板的一剩余部。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下：

附图说明

图1-图2为一流程图，显示了依据本发明的多个观点的发光二极管的制造方法；以及

图3-图15显示了依据本发明的特定实施例的发光二极管于制作中多个阶段的附图。

其中，附图标记说明如下：

11、12～发光二极管的制造方法；

13、15、16、17、18、19、20～操作；

30～发光结构；31～基板；

33～缓冲层；35～掺杂层；

37～多重量子阱层；39～掺杂层；

41～缓冲层；43～反光金属层；

45～阻剂图案；47～沟道；

51～保护层；53～结合金属层；

55～经薄化的成长基板；57～粘着金属层；

59～基板；61～粗糙表面；

63～薄接触结构；64～接触接垫；

65～保护层；67～暂时性接触物；

69、71～电极探针。

具体实施方式