[发明专利]发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，包括：

提供一蓝宝石基板；

形成一发光结构于该蓝宝石基板上，该发光结构包括：

一第一掺杂层，掺杂有第一导电类型的一第一掺质；

一有源层，位于该第一掺杂层之上；以及

一第二掺杂层，位于该有源层之上，该第二掺杂层掺杂有相反于该第一导电类型的一第二导电类型的一第二掺质；

研磨该蓝宝石基板的一背面，以移除该蓝宝石基板的一部；以及

借由蚀刻以移除该蓝宝石基板的一剩余部。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中研磨该蓝宝石基板的背面包括依序使用具有不同硬度或颗粒尺寸的两种研磨料。

3.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该蚀刻为等离子体蚀刻或湿蚀刻。

4.一种发光二极管的制造方法，包括：

提供一成长基板；

形成一发光结构于该成长基板之上，该发光结构包括：

一缓冲层；

一第一掺杂层，位于该缓冲层之上，该第一掺杂层掺杂有第一类型的一第一掺质；

一有源层，位于该第一掺杂层之上；以及

一第二掺杂层，位于该有源层之上，该第二掺杂层掺杂有相反于该第一类型的一第二类型的一第二掺质；

蚀刻出多个沟道于该发光结构内，以形成具有露出侧壁的多个发光平台结构；

沉积一保护层以覆盖该露出侧壁；

借由研磨该成长基板的一背面，以移除该成长基板的一第一部；以及

借由蚀刻以移除该成长基板的一剩余部。

5.如权利要求4所述的发光二极管的制造方法，还包括：

形成一接触金属层于该第二掺杂层之上；以及

形成一连结金属层于该接触金属层之上。

6.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，还包括：

借由接合该连结金属层与位于该硅基板上的一粘着金属层，以附着该成长基板上的所述多个发光平台结构与一硅基板。

7.如权利要求6所述的发光二极管的制造方法，还包括于移除该成长基板后，移除该缓冲层。

8.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，还包括：

粗糙化该第一掺杂层的一露出表面的一部；以及

形成一金属接触物于该第一掺杂层的该露出表面的一剩余部之上。

9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，还包括：

形成一暂时接触物于该粘着金属层上；

施加跨越该暂时接触物与位于该第一掺杂层上的该金属接触物的一电压，以使得由该发光平台结构发出光线；

测量该发射光线；以及

依据该发射光线的测量以分组该发光平台结构。

10.一种发光二极管的制造方法，包括：

提供一成长基板；

形成一发光结构于该成长基板之上，该发光结构包括：

一缓冲层；

一第一掺杂层，位于该缓冲层之上，该第一掺杂层掺杂有一第一类型的一第一掺质；

一有源层，位于该第一掺杂层之上；以及

一第二掺杂层，位于该有源层之上，该第二掺杂层掺杂有相反于该第一类型的一第二类型的一第二掺质；

蚀刻出多个沟道于该发光结构内，以形成多个发光平台结构；

借由研磨该成长基板的一背面，以移除该成长基板的一第一部，使得该成长基板的一剩余部约为5微米；以及

借由等离子体蚀刻或湿蚀刻以移除该成长基板的一剩余部。