[发明专利]一种铝栅半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种铝栅半导体器件，其特征在于，包括：

位于衬底内的硼P阱区，所述硼P阱区的结深满足铝栅半导体器件的预定结深要求；

位于所述硼P阱区上表面的薄膜氧化层；

位于所述薄膜氧化层上表面的多晶硅层，所述多晶硅层的杂质浓度满足预定电阻值要求；

位于所述多晶硅层表面的金属层；

位于所述金属层表面的绝缘层。

2.如权利要求1所述的铝栅半导体器件，其特征在于，还包括：

穿过所述多晶硅层、薄膜氧化层，底部达到所述硼P阱区，内部填充金属物质的过孔；或者

穿过所述薄膜氧化层，底部达到所述硼P阱区，内部填充多晶硅的过孔。

3.如权利要求1所述的铝栅半导体器件，其特征在于，还包括：

位于所述硼P阱区内的N型掺杂区和P型掺杂区。

4.如权利要求1所述的铝栅半导体器件，其特征在于，所述薄膜氧化层的厚度为500埃至800埃。

5.如权利要求1所述的铝栅半导体器件，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为2000埃。

6.一种铝栅半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

向衬底内注入硼杂质形成硼P阱区，所述P阱区的结深满足铝栅半导体器件的预定结深要求；

在所述P阱区的上表面生长薄膜氧化层；

在所述薄膜氧化层上生长多晶硅，并进行掺杂后，形成多晶硅层，所述多晶硅层的杂质浓度满足预定电阻值要求；

在所述多晶硅层上生长金属层；

在所述金属层上覆盖绝缘层。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述P阱区的上表面生长薄膜氧化层之后，还包括：

利用多晶孔光刻版，通过涂胶、曝光、显影形成过孔区域，刻蚀出穿过所述薄膜氧化层，底部达到所述P阱区的过孔，生长多晶硅层时，将多晶硅填充所述过孔；或者

在所述薄膜氧化层上生长多晶硅，并进行掺杂后，形成多晶硅层之后，还包括：

利用多晶孔光刻版，通过涂胶、曝光、显影形成过孔区域，刻蚀出穿过所述多晶硅层、所述薄膜氧化层，底部达到所述P阱区的过孔，生长金属层时，将金属物质填充所述过孔。

8.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述向衬底内注入硼杂质，形成硼P阱区，所述P阱区的结深满足铝栅半导体器件的预定结深要求，包括：

在衬底上表面涂抹光刻胶；

通过曝光、显影、刻蚀，形成P阱注入区；

利用中束流注入机进行硼杂质注入，形成P阱区；

去除所述光刻胶后，对所述P阱区的硼杂质进行推阱，所述P阱区的结深满足铝栅半导体器件的预定结深要求。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述形成硼P阱区后，还包括：

分别利用N型源漏区光刻版和P型源漏区光刻版，通过涂胶、曝光、显影、刻蚀制作出N型掺杂区和P型掺杂区。

10.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述薄膜氧化层上生长多晶硅，并进行掺杂后，形成多晶硅层，所述多晶硅层的杂质浓度满足预定电阻值要求，包括：

在所述薄膜氧化层上沉积多晶硅；

采用大束流注入机进行多晶硅掺杂；

利用多晶硅光刻版，通过涂胶、曝光、显影、光刻形成多晶硅层，所述多晶硅层的杂质浓度满足预定电阻值要求。