[发明专利]一种平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法

权利要求书

1.一种平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，其特征是它包括以下步骤：

首先，对硅片进行酸腐蚀去除硅，得到一定厚度的硅片；

其次，对厚度变薄的硅片进行碱腐蚀至硅片的表面致密均匀；

最后，对表面致密均匀的硅片进行二次酸腐蚀，得到符合厚度要求、表面致密均匀的硅片。

2.根据权利要求1所述的平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，其特征是该方法包括以下步骤：

（a）、将酸腐蚀液倒入恒温腐蚀槽内，温度控制在5-10摄氏度，取硅片放入腐蚀槽内腐蚀，时间为120-180s，使得硅片厚度为目标硅片厚度的1.20-1.31倍，用水冲洗15-20min，待碱腐蚀；

（b）、将厚度变薄的硅片放入碱腐蚀液中，加热煮沸，然后室温冷却，时间为5-10min，直到厚度为目标硅片厚度的1.10-1.20倍，使用沸水去除硅片上残余的碱液，用去离子水冲洗 15-20min，待酸腐蚀，碱腐蚀后的硅片表面致密均匀；

（c）、将酸腐蚀液倒入恒温腐蚀槽内，温度控制在5-10摄氏度，取碱腐蚀后的硅片放入腐蚀槽内腐蚀，时间为120-180s，使得硅片达到目标厚度，用水冲洗25-30min，烘干，得到厚度符合要求的硅片。

3.根据权利要求2所述的平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，其特征是在步骤（a）之前，对硅片进行表面清洗，然后烘干硅片待腐蚀。

4.根据权利要求3所述的平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，其特征是对硅片进行表面清洗的清洗液采用氨水、双氧水和去离子水按一定比例配成。

5.根据权利要求1所述的平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，其特征是步骤（a）中，所述的酸腐蚀液采用硝酸、氢氟酸、冰乙酸按一定比例配成。

6.根据权利要求1所述的平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，其特征是步骤（b）中，所述的碱腐蚀液采用氢氧化钾、去离子水按一定比例配成。

7.根据权利要求1所述的平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，其特征是步骤（c）中，所述的二次酸腐蚀的酸腐蚀液采用硝酸、氢氟酸、冰乙酸按一定比例配成。

8.根据权利要求1所述的平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，其特征是所述的硅片少于20片。

9.根据权利要求1所述的平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，其特征是硅片表面致密均匀即为硅片表面晶粒直径大于200um，硅片中心厚度与边缘厚度相差小于20um。