[发明专利]发光二极管芯片封装体无效
申请号: | 201110273183.0 | 申请日: | 2011-09-15 |
公开(公告)号: | CN102881803A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 黄春樱;陈富鑫;卢昱昕 | 申请(专利权)人: | 隆达电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 封装 | ||
1.一种发光二极管芯片封装体,包括:
一支架结构,具有一凹槽以及一凸起平台设置于该凹槽内,其中该凸起平台将该凹槽划分为两个区域;
一发光二极管芯片,设置于该凸起平台上;
两种荧光粉,分别涂布于该凹槽的该两个区域的底部表面上;以及
一封装胶材,填充于该支架结构内,覆盖该发光二极管芯片及该些荧光粉。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装体,其中还包括一透镜结构设置于该封装胶材上。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片封装体,其中该透镜结构的形状包括一个曲面或两个连续的曲面,且其中该两个连续曲面的连接处对准该发光二极管芯片。
4.根据权利要求2所述的发光二极管芯片封装体,其中该透镜结构为一个凸透镜,且还包括一反射层设置于该凸透镜与该封装胶材之间。
5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片封装体,其中该透镜结构与该反射层的组合具有光线穿透与光线反射功能,且其光线反射率为70%至85%。
6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片封装体,其中该发光二极管芯片为蓝光二极管芯片,且其光线穿透率为15%至30%。
7.根据权利要求4所述的发光二极管芯片封装体,其中该反射层设置于该凸透镜内或该封装胶材内,且该反射层的位置对准该发光二极管芯片。
8.根据权利要求2所述的发光二极管芯片封装体,其中该透镜结构为两个连续的凸透镜。
9.根据权利要求8所述的发光二极管芯片封装体,其中该发光二极管芯片为蓝光二极管芯片,且其光线穿透率为15%至30%。
10.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装体,其中该发光二极管芯片与该些荧光粉完全隔开,且该发光二极管芯片包括一个或一个以上的发光二极管芯片。
11.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装体,其中该两种荧光粉被该凸起平台完全隔开。
12.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装体,其中该发光二极管芯片包括蓝光二极管芯片,且该两种荧光粉包括绿色荧光粉与红色荧光粉,或黄色荧光粉与红色荧光粉。
13.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装体,其中该发光二极管芯片的侧壁包括垂直的侧壁或倾斜的侧壁。
14.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装体,其中还包括一导电支架设置于该支架结构的该凹槽下方,且该发光二极管芯片经由一打线接合的方式与该导电支架电性连接。
15.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装体,其中还包括一导电支架设置于该支架结构的该凸起平台上方,且该发光二极管芯片经由一打线接合的方式与该导电支架电性连接。
16.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装体,其中还包括一导电支架设置于该支架结构的该凸起平台上方,且该发光二极管芯片直接与该导电支架电性连接。
17.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装体,其中还包括一导通孔设置于该凸起平台内,以及一电极设置于该凸起平台下方,其中该发光二极管芯片经由该导通孔与该电极电性连接。
18.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装体,其中该支架结构的该凹槽的侧壁包括倾斜的侧壁。
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