[发明专利]连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置

权利要求书

1.一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，包括：

一主腔室，为一圆柱形的中空体，用于提供晶体生长的真空环境，该主腔室的径向穿过一尾气管路，在尾气管路的下方通入一源气体管路；

一可动托盘，位于主腔室内，在源气体管路的上方；

一固定托盘，位于主腔室内，在可动托盘的上方；

一第一辅助腔室，用于提供真空缓冲环境，并在该环境下向所述主腔室提供样品，该第一辅助腔室位于主腔室的一侧，与主腔室连通，在主腔室与第一辅助腔室之间有一第一闸门；

一第二辅助腔室，用于提供真空缓冲环境，并在该环境下向所述主腔室取出样品，该第二辅助腔室位于主腔室的另一侧，与主腔室连通，在主腔室与第二辅助腔室之间有一第二闸门；

其中所述第一和第二辅助腔室通过第一、第二闸门分别与所述主腔室隔离。

2.根据权利要求1所述的连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中所述第一和第二辅助腔室包括承载样品架的导轨和沿导轨装载或取出样品的杆状部件。

3.根据权利要求2所述的连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中所述杆状部件选自磁力棒或勾型杆。

4.根据权利要求1所述的连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中所述第一辅助腔室与所述第二辅助腔室分别位于所述主腔室相对的两侧。

5.根据权利要求1所述的连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中所述主腔室还包括：可动保温墙，用于环绕在所述晶体生长的主腔室的内壁，在可动保温墙的中间形成样品生长腔室。

6.根据权利要求1所述的连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中所述主腔室还包括：固定保温墙和可动保温墙，可动保温墙位于样品传送的通路上，该固定保温墙和可动保温墙环绕在晶体生长的主腔室的内壁，在固定保温墙和可动保温墙的中间形成样品生长腔室。

7.根据权利要求6所述的连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中所述可动保温墙的数量为2个，分别位于所述第一辅助腔室与所述主腔室，所述主腔室与所述第二辅助腔室的连接处；当晶体生长完成时，通过降低所述可动保温墙，使得所述第一辅助腔室和/或第二辅助腔室内的杆状部件能够从所述主腔室中输送和/或取出可动托盘。

8.根据权利要求1所述的连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中所述主腔室内的样品生长室内还包括一感应加热桶和位于感应加热桶外的感应加热线圈，一绝缘保温套，该绝缘保温套位于感应加热桶的四周。

9.根据权利要求1所述的连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中所述输送源气体的管路是由双层或多层套管构成，其中外部套管与内部套管之间的通道所输送的气体用于限制所述内部套管的气体流向。