[发明专利]半导体工艺

权利要求书

1.一种半导体工艺，包含有：

提供一基底；

形成至少一鳍状结构于该基底上；

形成一氧化层于该鳍状结构以外的该基底上；

形成一栅极覆盖部分该氧化层及部分该鳍状结构；

进行一蚀刻工艺，蚀刻该栅极侧边的部分该鳍状结构，而于该鳍状结构中形成至少一凹槽；以及

进行一外延工艺，以于该凹槽中形成一外延层，其中该外延层具有一六角形的剖面结构。

2.如权利要求1所述的半导体工艺，其中该基底包含一块状硅基底或一硅覆绝缘基底。

3.如权权要求2所述的半导体工艺，其中形成该鳍状结构的步骤，包含：

形成一掩模层于该块状硅基底上；

进行一蚀刻光刻工艺，以图案化该掩模层并暴露出部分该块状硅基底；以及

进行一外延工艺，以在暴露出的该块状硅基底上形成该鳍状结构。

4.如权利要求3所述的半导体工艺，其中该掩模层包含一垫氧化层以及一氮化层。

5.如权利要求2所述的半导体工艺，其中该硅覆绝缘基底，包含：

一硅基底；

一底氧化层位于该硅基底上；以及

一硅层位于该底氧化层上。

6.如权利要求5所述的半导体工艺，其中形成该鳍状结构于该硅覆绝缘基底上以及形成该氧化层于该鳍状结构以外的该基底上的步骤，包含：

图案化该硅层以形成该鳍状结构，并暴露出部分该底氧化层，于该鳍状结构以外的该基底上。

7.如权利要求1所述的半导体工艺，其中形成该栅极，包含：

形成一栅极介电层覆盖该氧化层及该鳍状结构；

形成一栅极电极层覆盖该栅极介电层；

形成一盖层覆盖该栅极电极层；

图案化该盖层、该栅极电极层、该栅极介电层；以及

形成一间隙壁于图案化的该栅极介电层、该栅极电极层及该盖层侧边。

8.如权利要求7所述的半导体工艺，其中该栅极电极层包含一多晶硅电极层。

9.如权利要求8所述的半导体工艺，还包含：

进行一替换性金属栅极工艺，以使该多晶硅电极层由金属电极层取代。

10.如权利要求1所述的半导体工艺，其中该蚀刻工艺包含一干蚀刻工艺或一湿蚀刻工艺。

11.如权利要求10所述的半导体工艺，其中该蚀刻工艺包含一干蚀刻工艺及一湿蚀刻工艺。

12.如权利要求10所述的半导体工艺，其中该湿蚀刻工艺包含以含氨气、过氧化氢及水的蚀刻液蚀刻。

13.如权利要求1所述的半导体工艺，其中该外延工艺包含一硅锗外延层或一硅碳外延层。