[发明专利]高压氮化物LED电路及相应的高压氮化物LED器件无效
申请号: | 201110260173.3 | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN102315240A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京 | 申请(专利权)人: | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/00;H01L21/82 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 氮化物 led 电路 相应 器件 | ||
1.一种高压氮化物LED电路,其特征在于:包括多个发光二极管串联成一路发光二极管,所述一路发光二极管按序连续划分成n组,每组发光二极管与一个放电二极管反向并联,其中n为自然数。
2.根据权利要求1所述的高压氮化物LED电路,其特征在于:所述每组发光二极管包括的发光二极管数目相同或不同。
3.根据权利要求1所述的高压氮化物LED电路,其特征在于:所述每个发光二极管具有P型电极、N型电极,且各发光二极管的P型电极、N型电极首尾串联连接成一路发光二极管。
4.根据权利要求3所述的高压氮化物LED电路,其特征在于:所述每个放电二极管具有P电极、N电极,每组发光二极管的首尾P型电极、N型电极分别与放电二极管的P电极、N电极反向连接。
5.根据权利要求1所述的高压氮化物LED电路,其特征在于:所述每组发光二极管连接至不同的放电二极管。
6.一种高压氮化物LED器件,其特征在于:包括基底层以及形成在基底层上的第一器件区域和第二器件区域,所述第一器件区域内制作有N*M-K个发光二极管,所述第二器件区域内制作有K个放电二极管,使得基底层上集成的发光二极管和放电二极管的总数为N*M个,所述第一器件区域内的发光二极管串联成一路发光二极管,并按序连续划分成n组,每组发光二极管与第二器件区域内的一个放电二极管反向并联,其中,N、M、K、n为自然数,且N和M不同时为1、n≤N*M-K、K≤N*M/2。
7.根据权利要求6所述的高压氮化物LED器件,其特征在于:所述每组发光二极管包括的发光二极管的数量不同或相同。
8.根据权利要求6所述的高压氮化物LED器件,其特征在于:所述每个发光二极管具有P型电极、N型电极,且各发光二极管的P型电极、N型电极首尾串联连接成一路发光二极管。
9.根据权利要求8所述的高压氮化物LED器件,其特征在于:所述每个放电二极管具有P电极、N电极,每组发光二极管的首尾P型电极、N型电极分别与一个放电二极管的P电极、N电极反向连接。
10.根据权利要求6所述的高压氮化物LED器件,其特征在于:所述每组发光二极管连接至不同的放电二极管。
11.根据权利要求6所述的高压氮化物LED器件,其特征在于:多个所述高压氮化物LED器件制作在一LED芯片上,以N*M个发光二极管和放电二极管为一模块,通过切片和裂片工艺将所述LED芯片分裂,模块内不再进行切片和分裂。
12.根据权利要求11所述的高压氮化物LED器件,其特征在于:将所述各模块分别封装为一个高压氮化物LED并且所述每个高压氮化物LED由一个电源供电。
13.一种高压氮化物LED器件,其特征在于:包括基底层以及均匀分布在基底层上的n个单元,所述每个单元包括一组发光二极管和与该组发光二极管反向并联的一个放电二极管,所述每个单元中的一组发光二极管依次串联连接,每个单元依次按序连续串联,其中n为自然数。
14.根据权利要求13所述的高压氮化物LED器件,其特征在于:所述每个单元包括的发光二极管的数量不同或相同。
15.根据权利要求13所述的高压氮化物LED器件,其特征在于:所述每个发光二极管具有P型电极、N型电极,且在所述每个单元中的各发光二极管的P型电极、N型电极首尾串联连接成一组发光二极管。
16.根据权利要求15所述的高压氮化物LED器件,其特征在于:所述每个放电二极管具有P电极、N电极,一组发光二极管的首尾P型电极、N型电极与一个放电二极管的P电极、N电极反向连接。
17.根据权利要求15所述的高压氮化物LED器件,其特征在于:所述各个单元间通过每个单元中的一组发光二极管的首尾P型电极、N型电极进行依次串联。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的