[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，

具备：

将多个半导体芯片层叠而构成的层叠芯片；和

在上述多个半导体芯片上分别设置并且使不良的半导体芯片不激活的多个不激活电路，

上述多个半导体芯片分别具有多个半导体基板和在上述多个半导体基板内形成的多个贯通电极，上述多个贯通电极被电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述多个半导体芯片的各个包括：被施加外部电源的第一电源线；被施加在上述半导体芯片内生成的内部电源的第二电源线；和被施加接地电压的接地线，

上述多个半导体芯片所包括的多个第一电源线由贯通电极电连接，

上述多个半导体芯片所包括的多个第二电源线由贯通电极电连接，

上述多个半导体芯片所包括的多个接地线由贯通电极电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

上述多个不激活电路的各个在发生上述第二电源线及上述接地线之间的短路时或发生上述第一电源线及上述第二电源线之间的短路时，使芯片使能信号总是不激活。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

上述不激活电路包括保险丝，相应于上述保险丝的状态来控制上述芯片使能信号。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

上述芯片使能信号控制上述半导体芯片的激活和不激活。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体芯片从外部接收上述芯片使能信号。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体芯片包括使用上述外部电源来生成上述内部电源的电压产生电路。

8.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体芯片包括在焊盘和上述第一电源线之间或焊盘和上述接地线之间设置的布线，

上述布线在发生上述第一电源线及上述接地线之间的短路时被切断。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，

上述布线包含通过激光的热而熔化的材料。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体芯片是半导体存储器。

11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，

包括：

准备分别具有多个半导体基板和在上述多个半导体基板内形成的多个贯通电极的多个晶片的工序；

测试各晶片所包括的多个半导体芯片的电特性的工序；

根据上述测试结果来使不良的半导体芯片不激活的工序；

以使上述贯通电极电连接的方式层叠上述多个晶片的工序；和

将上述层叠的晶片分离为多个层叠芯片的工序。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

上述多个半导体芯片的各个包括：被施加外部电源的第一电源线；被施加在该半导体芯片内产生的内部电源的第二电源线；和被施加接地电压的接地线，

上述多个半导体芯片所包括的多个第一电源线由贯通电极电连接，

上述多个半导体芯片所包括的多个第二电源线由贯通电极电连接，

上述多个半导体芯片所包括的多个接地线由贯通电极电连接。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

上述不激活的工序包括：在发生上述第二电源线及上述接地线之间的短路时或发生上述第一电源线及上述第二电源线之间的短路时，使芯片使能信号总是不激活的工序。

14.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

上述半导体芯片包括使用上述外部电源来生成上述内部电源的电压产生电路。

15.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

上述不激活的工序包括：在发生上述第一电源线及上述接地线之间的短路时，从焊盘将上述第一电源线或上述接地线切断的工序。

16.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

上述半导体芯片是半导体存储器。