[发明专利]用于无过孔薄膜电阻器的横向连接

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

衬底；

在所述衬底之上的第一互连结构，所述第一互连结构电连接在所述衬底上彼此隔开的第一接触和第二接触；

在所述衬底之上的与所述第一互连结构隔开的第二互连结构，所述第二互连结构电连接在所述衬底上彼此隔开的第三接触和第四接触，每个互连结构具有在所述衬底之上的第一导电层以及在所述第一导电层之上的第二导电层；以及

定位在所述第一互连结构和所述第二互连结构之间的衬底部分之上的薄膜电阻器，所述薄膜电阻器将所述第一互连结构和所述第二互连结构的所述第一导电层彼此电连接。

2.根据权利要求1的集成电路，其中所述薄膜电阻器邻接所述第一互连结构和所述第二互连结构的所述第一导电层的侧壁。

3.根据权利要求1的集成电路，其中所述衬底是定位在晶体管之上的电绝缘体。

4.根据权利要求1的集成电路，其中所述第一互连结构和所述第二互连结构具有在所述第二导电层之上的保护性涂层。

5.根据权利要求4的集成电路，其中所述薄膜电阻器在所述第一互连结构和所述第二互连结构的所述保护性涂层的顶表面的至少一部分之上。

6.根据权利要求5的集成电路，进一步包括：

在所述第一互连结构和所述第二互连结构、所述薄膜电阻器以及所述衬底之上的层间电介质；

通过所述层间电介质和所述保护性涂层到所述第一互连结构的第一接触；以及

通过所述第一接触耦合到所述第一互连结构的第三互连结构。

7.根据权利要求4的集成电路，进一步包括：

在所述第一互连结构和所述第二互连结构的所述保护性涂层与所述第二导电层之间的防反射涂层。

8.根据权利要求4的集成电路，其中所述保护性涂层具有与所述薄膜电阻器不同的刻蚀化学性质。

9.根据权利要求1的集成电路，其中所述薄膜电阻器是铬硅。

10.根据权利要求1的集成电路，其中所述薄膜电阻器具有在50埃和200埃范围内的厚度。

11.根据权利要求1的集成电路，其中所述第二导电层具有在5,000埃和10,000埃范围内的厚度。

12.根据权利要求1的集成电路，进一步包括在所述薄膜电阻器之上的介电帽层。

13.根据权利要求1的集成电路，其中所述薄膜电阻器是多个电阻性层。

14.根据权利要求13的集成电路，其中第一电阻性层在所述衬底之上并且第二电阻性层在所述第一电阻性层之上。

15.一种方法，包括：

在衬底之上形成第一导电层；

在所述第一导电层之上形成第二导电层；

在衬底之上形成第一互连结构和第二互连结构，所述形成包括：

去除所述第一导电层和所述第二导电层的部分以形成在所述衬底之上与所述第二互连结构隔开的所述第一互连结构，每个互连结构具有所述第一导电层和所述第二导电层；

在所述第一互连结构和所述第二互连结构以及所述衬底之上形成电阻性层；以及

限定将所述第一互连结构和所述第二互连结构的所述第一导电层的侧壁彼此电连接的薄膜电阻器，所述限定包括去除所述电阻性层的部分。

16.根据权利要求15的方法，进一步包括：

在形成所述第一互连结构和所述第二互连结构之前在所述第二导电层之上形成保护性涂层。

17.根据权利要求15的方法，其中限定所述薄膜电阻器进一步包括：

在所述第一互连结构和所述第二互连结构的顶表面的部分之上以及在所述第一互连结构和所述第二互连结构之间的衬底部分之上形成光致抗蚀剂层；以及

刻蚀所述电阻性层以暴露不被所述光致抗蚀剂层覆盖的所述衬底。

18.根据权利要求15的方法，进一步包括：

在所述第一互连结构和所述第二互连结构以及所述薄膜电阻器之上形成介电层；

形成通过所述介电层到所述第一互连结构和所述第二互连结构的导电过孔；以及

形成分别通过所述过孔耦合到所述第一互连结构和所述第二互连结构的第三互连结构和第四互连结构。