[发明专利]树脂密封型半导体装置的制造方法、树脂密封型半导体装置及该半导体装置用的引线框架无效
申请号: | 201110249111.2 | 申请日: | 2011-08-17 |
公开(公告)号: | CN102420149A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 玉手登志幸 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/495 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉;吴海斌 |
地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 树脂 密封 半导体 装置 制造 方法 引线 框架 | ||
技术领域
本发明涉及一种树脂密封型半导体装置的制造方法、树脂密封型半导体装置及树脂密封型半导体装置用的引线框架。
背景技术
将半导体元件及安装该半导体元件的冲模垫(die pad)等的半导体元件安装部进行树脂密封而形成的树脂密封型半导体装置(例如,参照非专利文献1),被广泛应用于各种电子机器。
图11是表示非专利文献1公开的树脂密封型半导体装置900的外观结构的斜视图。由于图11是表示外观结构的图,因此没有标示内部存在的半导体元件等。另外,图11所示的树脂密封型半导体装置900(指以往的树脂密封型半导体装置900)是单列直插式桥式整流二极管。
如图11所示,以往的树脂密封型半导体装置900具有树脂密封型半导体装置主体910、作为与外部相连的连接端子的多个(4个)外引脚(第1外引脚821、822及第2外引脚823、824。)。图11中的符号H,是在树脂密封型半导体装置主体910的背面侧(图1中纸面的内侧)安装图中未标示的散热片时的螺孔。另外,图11中的符号831是图1中未标示的系杆(tie bar)的残余部,对此将在后文中叙述。
另外,当对第1外引脚821、822及第2外引脚823、824整体进行说明时,则以“外引脚821~824”进行表述。
图12是表示用于以往的树脂密封型半导体装置900的引线框架800(以往的引线框架800。)的结构的斜视图。以往的引线框架800主要具有由第1冲模垫811及第2冲模垫812等构成的半导体元件安装部810,作为与外部相连的连接端子的外引脚821~824,被设置为将外引脚821~824的间隙相连接、在树脂密封工程中作为防止树脂流出的树脂密封部的系杆830,被设置为将外引脚821~824的各端部相连接、用于保持引线框架800的刚性的辅助杆840。另外,系杆830及辅助杆840最终将从外引脚821~824分离。
以往的树脂密封型半导体装置900可通过下述各工程制造。另外,下述工程为概要工程。
首先进行引线框架准备工程,准备图12所示的引线框架800。然后进行半导体元件安装工程,将半导体元件(图中未标示)安装在半导体元件安装部810(第1冲模垫811及第2冲模垫812),安装完成后进行树脂密封工程。树脂密封工程是使用树脂密封用模具将半导体元件及半导体元件安装部810等覆盖,在该树脂密封用模具的内部充入树脂,形成树脂密封型半导体装置主体910(参照图1)。随后,通过进行将系杆830及辅助杆840从外引脚821~824分离的系杆分离工程,即可完成图11所示的树脂密封型半导体装置900的制造。
图13是为了说明制造以往的树脂密封型半导体装置900时的系杆分离工程,将主要部分(外引脚821~824及系杆830的部分)放大显示的示意图。另外,图13是显示冲孔模具P与系杆830及外引脚821~824的位置关系的图,因此省略了树脂密封型半导体装置主体910的内部结构等的图示。另外,在图13中,对于与图11及图12中相同的构成要 素,则标记相同的符号。
在图13中,以灰色表示的部分,是在进行树脂密封时被系杆830挡住的树脂硬化后形成的,被称为树脂坝。即,在以往的树脂密封型半导体装置900中,如图13所示,在树脂密封型半导体装置主体910的下端面911与系杆830的上端边830a之间,存在在上下方向(箭头y-y’方向)具有一定宽度w的空间部,在该空间部会产生树脂坝(附有DB符号)。
从外引脚821~824将系杆830分离时,如图13所示,使用由点划线表示的冲孔模具P切断系杆830。另外,在图13中,仅标示了在位于第1外引脚821和系杆830的连接部的图中未标示的右侧部对系杆830进行切断的情况,实际上在其它部分也同样进行系杆830的切断。通过进行上述切断工程,即可制造图11所示的树脂密封型半导体装置900。另外,在切断系杆830时,可以使用多个冲孔模具同时进行多个位置的切断。
但是,在通过图13所示的系杆切断工程切断系杆830时,虽然树脂坝DB的一部分也会被冲孔模具P切断,但仍会残存未被冲孔模具P切断的树脂坝DB。
另外,在进行系杆切断工程时,如果将冲孔模具P设定在图13所示的位置切断系杆830,则会产生系杆830的残存部831(系杆残存部831)。在以往的树脂密封型半导体装置900中,该系杆残存部831是因冲孔模具P与各个外引脚821~824及系杆830的位置重合上的限制等产生的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新电元工业株式会社,未经新电元工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110249111.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造