[发明专利]固体摄像元件及其制造方法、固体摄像装置和摄像装置

权利要求书

1.一种固体摄像元件，其包括：

半导体基板，所述半导体基板具有对入射光进行光电转换的受光部；

氧化物层，所述氧化物层形成于所述半导体基板的表面上；

遮光层，所述遮光层形成于所述氧化物层的上层，并且在所述遮光层与所述氧化物层之间形成有粘着层；以及

氧供给层，所述氧供给层布置于所述氧化物层与所述粘着层之间，并且所述氧供给层是由显示出的氧化焓比形成所述氧化物层的材料的氧化焓小的材料形成的。

2.根据权利要求1所述的固体摄像元件，其中，

所述氧供给层是由透光材料形成的，并且形成在与形成有所述半导体基板的所述受光部的区域相对应的区域的几乎整个表面上。

3.根据权利要求1所述的固体摄像元件，其中，

所述氧供给层仅形成在与形成有所述遮光层的区域相对应的区域中。

4.根据权利要求1、2或3所述的固体摄像元件，其中，

形成所述粘着层和所述遮光层的材料的氧化焓大于形成所述氧化物层的材料的氧化焓。

5.根据权利要求1、2或3所述的固体摄像元件，其中，

所述粘着层和所述遮光层含有铝、钛、铝合金或氮化钛中的至少一种材料。

6.根据权利要求1、2或3所述的固体摄像元件，其中，

所述氧供给层是通过使用氧化钽、氧化铌、氧化钒、氧化铬、氧化钨或氧化钼构成的。

7.根据权利要求1、2或3所述的固体摄像元件，其中，

所述固体摄像元件是这样的背面照射型固体摄像元件：所述背面照射型固体摄像元件包括多个像素部和配线层，所述像素部具有将入射光转换成电信号的所述受光部，所述配线层位于所述半导体基板的形成有所述像素部的表面侧，并且所述背面照射型固体摄像元件通过所述受光部接收从形成有所述配线层的表面的相反侧入射的光。

8.一种固体摄像元件，其包括：

半导体基板，所述半导体基板具有对入射光进行光电转换的受光部；

氧化物层，所述氧化物层形成于所述半导体基板的表面上；

配线层，所述配线层形成在所述氧化物层的上层，并且在所述配线层与所述氧化物层之间形成有粘着层；以及

氧供给层，所述氧供给层布置于所述氧化物层与所述粘着层之间，并且所述氧供给层是由显示出的氧化焓比形成所述氧化物层的材料的氧化焓小的材料形成的。

9.根据权利要求8所述的固体摄像元件，其中，

所述氧供给层是由透光材料形成的，并且形成在与形成有所述半导体基板的所述受光部的区域相对应的区域的几乎整个表面上。

10.根据权利要求8所述的固体摄像元件，其中，

所述氧供给层仅形成在与形成有所述配线层的区域相对应的区域中。

11.根据权利要求8、9或10所述的固体摄像元件，其中，

形成所述粘着层和所述配线层的材料的氧化焓大于形成所述氧化物层的材料的氧化焓。

12.根据权利要求8、9或10所述的固体摄像元件，其中，

所述粘着层和所述配线层含有铝、钛、铝合金或氮化钛中的至少一种材料。

13.根据权利要求8、9或10所述的固体摄像元件，其中，

所述氧供给层是通过使用氧化钽、氧化铌、氧化钒、氧化铬、氧化钨或氧化钼构成的。

14.一种固体摄像元件的制造方法，所述方法包括以下步骤：

在半导体基板的上层上形成氧供给层，所述半导体基板具有对入射光进行光电转换的受光部，并且在所述半导体基板的表面上形成有氧化物层，形成所述氧供给层的材料显示出的氧化焓比形成所述氧化物层的材料的氧化焓小；并且

在所述氧供给层的上层形成遮光层，在所述氧供给层与所述遮光层之间形成有粘着层。

15.一种固体摄像元件的制造方法，所述方法包括以下步骤：

在半导体基板的上层上形成氧供给层，所述半导体基板具有对入射光进行光电转换的受光部，并且在所述半导体基板的表面上形成有氧化物层，形成所述氧供给层的材料显示出的氧化焓比形成所述氧化物层的材料的氧化焓小；并且

在所述氧供给层的上层形成配线层，在所述氧供给层与所述配线层之间形成有粘着层。