[发明专利]生长氧原硅酸盐的切克拉斯基方法中的热梯度控制方法

权利要求书

1.从具有通式Ln_2xA_2yLu_2(1-x-y)SiO₅的组成的熔体中生长单晶闪烁体材料的方法，其中Ln基本上由一种或多种镧系元素、一种或多种锕系元素或其组合组成，A基本上由元素周期表中的一种或多种IIA或IIB族元素或其任何组合组成，所述方法包括：

选择生长的单晶材料所欲获得的包含端点在内的约30ns到约50ns之间的荧光衰减时间；

基于欲获得的衰减时间，确定x和y之间的相对数值，其中x大于或等于0.00001并小于或等于0.1，y大于或等于0.00001并小于或等于0.1以便从熔体中获得单晶闪烁体材料的稳定生长；和

从具有x和y之间的所述相对数值的熔体中生长单晶闪烁体材料。

2.权利要求1所述的方法，其中：

Ln基本上由Ce、Pr、Th、Eu、Tb或其任何组合组成，和

A基本上由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd或其任何组合组成。

3.权利要求2所述的方法，其中，Ln基本上由Ce组成。

4.权利要求3所述的方法，其中，A基本上由Mg、Ca、Sr或其任何组合组成。

5.权利要求3所述的方法，其中：

x大于或等于0.001，且

A基本上由Mg、Sr、Zn或Cd或其任何组合组成，其中y为x的约1/10或更小。

6.权利要求3所述的方法，其中：

x小于或等于0.0005，且

A基本上由Ca、Mg、Sr、Zn或Cd或其任何组合组成，其中y为x的约三倍或更高。

7.权利要求3所述的方法，其中：

x大于或等于0.002，且

A基本上由Mg和Ca的组合、或者Mg和Sr的组合、或者Ca和Sr的组合组成，其中y为x的约1/4或更小。

8.权利要求1所述的方法，其中：

Ln基本上由Ce组成，

A基本上由Sr组成，

x大于或等于0.00001，

y大于或等于0.00001，且

y大于或等于x。

9.权利要求1所述的方法，其中：

Ln基本上由Ce组成，

A基本上由Sr组成，

x大于或等于0.00001，

y大于或等于0.00001，且

x大于或等于y。

10.权利要求1所述的方法，其中：

Ln基本上由Ce组成，

A基本上由Ca组成，

x大于或等于0.00001，

y大于或等于0.00001，且

y大于或等于x。

11.权利要求1所述的方法，其中：

Ln基本上由Ce组成，

A基本上由Ca组成，

x大于或等于0.00001，

y大于或等于0.00001，且

x大于或等于y。

12.权利要求1所述的方法，其中：

Ln基本上由Ce组成，

A基本上由Mg组成，

x大于或等于0.00001，

y大于或等于0.00001，且

y大于或等于x。

13.权利要求1所述的方法，其中：

Ln基本上由Ce组成，

A基本上由Mg组成，

x大于或等于0.00001，

y大于或等于0.00001，且

x大于或等于y。

14.权利要求1所述的方法，所述熔体具有以下通式组成：

Ln_2xMg_2y’Ca_2y”Sr_2y”’Lu_{2(1-x-y’-y”-y”’)}SiO₅，

其中y＝y’+y”+y”’，且

y’大于或等于约0.00001并小于或等于约0.1，

y”大于或等于约0.00001并小于或等于约0.1，和

y”’大于或等于约0.00001并小于或等于约0.1。