[发明专利]一种免引线键合IGBT模块无效

专利信息
申请号: 201110222484.0 申请日: 2011-08-04
公开(公告)号: CN102254886A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 刘国友;覃荣震;黄建伟 申请(专利权)人: 株洲南车时代电气股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/52;H01L25/07
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 卢宏
地址: 412001*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 引线 igbt 模块
【权利要求书】:

1.一种免引线键合IGBT模块,包括基板、焊接在基板上的衬板、焊接在衬板上的功率半导体芯片和集电极端子,其特征在于,还包括免引线电极引出板;所述衬板的上下表面均为单一金属化面;所述免引线电极引出板为复合母排或多层印制电路板,设置在功率半导体芯片上面;所述功率半导体芯片包括IGBT芯片和FRD芯片,IGBT芯片背面的集电极及FRD芯片背面的阴极通过衬板正面的单一金属化面实现互连;所述集电极端子焊接在衬板正面的单一金属化面上,将IGBT芯片背面的集电极及FRD芯片背面的阴极互连并引出至模块外部。

2.根据权利要求1所述的免引线键合IGBT模块,其特征在于,所述免引线电极引出板集成了栅极端子和发射极端子,将IGBT芯片正面的栅极互连并引出至模块外部,同时将IGBT芯片正面的发射极和FRD芯片正面的阳极互连并引出至模块外部。

3.根据权利要求1所述的免引线键合IGBT模块,其特征在于,所述免引线电极引出板还集成了集电极端子,将IGBT芯片背面的集电极和FRD芯片背面的阴极互连并引出至模块外部。

4.根据权利要求1至3之一所述的免引线键合IGBT模块,其特征在于,所述免引线电极引出板与功率半导体芯片正面电极或衬板正面的单一金属化面的连接介质为银。

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