[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法。

背景技术

通常薄膜晶体管基板是指形成有电容器和薄膜晶体管的基板，用于有源驱动型平板显示装置，所谓的有源驱动型平板显示装置通过电连接于各像素或者子像素的薄膜晶体管来控制像素或者子像素的驱动。

薄膜晶体管基板包括多个薄膜，在各薄膜上形成所需的细微的图案。为形成这种细微图案要进行多种工序。此时，可使用多种方法形成图案，主要使用的是利用掩模板的光刻法。

光刻法是需要进行精确控制的工序。并且，利用掩模板形成图案时，需要进行形成光刻胶、曝光、显影、蚀刻等多个工序。因此，随着利用掩模板的光刻法的工序增多，平板显示装置的工序变复杂、工序时间延长，并且不易管理工序，从而会发生不良。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，提供简化制造工序、使用适合器件特性的排线的薄膜晶体管基板。

本发明要解决的另外的技术问题在于，提供简化制造工序、使用适合器件特性的排线的薄膜晶体管基板的制造方法。

但是本发明的技术问题不限于以上所述的技术问题，本领域的技术人员可通过以下说明来理解本文未提及的其他技术问题。

为解决所述技术问题的根据本发明的薄膜晶体管基板的一实施例，包括：基板；形成于所述基板上的活性层以及电容器第一电极；形成于所述基板、所述活性层以及所述电容器第一电极上的栅绝缘膜；形成于所述栅绝缘膜上的栅电极以及电容器第二电极，所述栅电极对应于所述活性层，所述电容器第二电极对应于所述电容器第一电极；形成于所述栅绝缘膜、所述栅电极以及所述电容器第二电极上的层间绝缘膜；以及形成于所述层间绝缘膜上的像素电极、源电极和漏电极，其中，所述源电极和漏电极中的至少一个形成于所述像素电极上。

为解决所述技术问题的根据本发明的薄膜晶体管基板的制造方法的一实施例，包括：在基板上形成活性层以及电容器第一电极；在所述基板、所述活性层以及所述电容器第一电极上形成栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成栅电极以及电容器第二电极；在所述栅绝缘膜、所述栅电极以及所述电容器第二电极上依次形成层间绝缘膜以及像素电极用导电膜；蚀刻所述像素电极用导电膜、所述层间绝缘膜以及所述栅绝缘膜的部分区域，以形成露出所述活性层的部分区域的接触孔；在所述像素电极用导电膜上形成源/漏电极用导电膜；使用半色调掩模板在所述源/漏电极用导电膜上形成第一光刻胶图案；以及将所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模板，蚀刻所述源/漏电极用导电膜以及所述像素电极用导电膜，以形成源电极、漏电极以及像素电极。

附图说明

图1是概略示出根据本发明一实施例的薄膜晶体管基板的截面图；

图2至图17是依次示出根据本发明一实施例的薄膜晶体管基板的制造方法截面图。

附图标记说明：

10：基板；            11：缓冲层；

13：活性层；          15：电容器第一电极；

20：栅绝缘膜；        31：栅电极；

35：电容器第二电极；  36：焊盘；

40：层间绝缘膜；      50：像素电极；

65：漏电极；          66：源电极。

具体实施方式

参照附图和后述的详细实施例，可了解本发明的优点、特征以及实现该优点和特征的方法。然而，本发明并不局限于下面所公开的实施例，而是将会以多种不同的形态实施。本说明书中实施例的目的仅在于，使本发明所公开的内容更加完整，使所属技术领域技术人员能够完整地理解本发明的范围。本发明所要保护的范围应由权利要求的范围所决定。为了便于说明，可能放大显示附图中组成要素的尺寸以及相对尺寸。

在说明书全文中，相同的附图标记代表相同的组成要素，“和/或”包括所提及的每一个技术特征以及所有一个以上的技术特征的组合。

说明书中使用的术语仅用于说明实施例，并不用于对本发明加以限制。在本说明书中，若没有特别的说明，单数术语包括多数的含义。在说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“组成(made of)”中提及的组成要素、步骤、动作和/或器件并不排除存在或增加另外的一个以上的组成要素、步骤、动作和/或器件。

虽然第一、第二等术语用于说明多种组成要素，但所述组成要素不限于所述术语。使用所述术语的目的仅在于区别一个组成要素与另一个组成要素。从而，在不脱离本发明的技术思想的前提下，下面提及的第一组成要素还可以是第二组成要素。