[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

基板；

活性层以及电容器第一电极，形成于所述基板上；

栅绝缘膜，形成于所述基板、所述活性层以及所述电容器第一电极上；

栅电极以及电容器第二电极，形成于所述栅绝缘膜上，所述栅电极对应于所述活性层，所述电容器第二电极对应于所述电容器第一电极；

层间绝缘膜，形成于所述栅绝缘膜、所述栅电极以及所述电容器第二电极上；以及

像素电极、源电极和漏电极，形成于所述层间绝缘膜上，

其中，所述源电极和漏电极中的至少一个形成于所述像素电极上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述像素电极直接接触形成于所述层间绝缘膜上。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述漏电极直接接触形成于所述像素电极上。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述源电极直接接触形成于所述像素电极上。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述栅电极和所述电容器第二电极具有彼此不同的厚度。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述栅电极包括依次层叠于所述栅绝缘膜上的第一栅电极膜、第二栅电极膜以及第三栅电极膜。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其中，

以与所述第一栅电极膜相同的膜形成所述电容器第二电极。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其中，

以与所述第一栅电极膜相同的厚度形成所述电容器第二电极。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，还包括：

焊盘，形成于所述栅绝缘膜上；

其中，以与所述第一栅绝缘膜相同的膜形成所述焊盘。

10.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述第二栅电极膜以及所述第三栅电极膜的宽度小于所述第一栅电极膜的宽度。

11.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其中，

由钛、钽或者铬形成所述第一栅电极膜；

由铝、铝合金、银、银合金、铜或者铜合金形成所述第二栅电极膜；

由钼或者钼合金形成所述第三栅电极膜。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述电容器第一电极通过向多晶硅注入离子杂质而形成。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述电容器第二电极包含向所述电容器第一电极注入的所述离子杂质。

14.一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括：

在基板上形成活性层以及电容器第一电极；

在所述基板、所述活性层以及所述电容器第一电极上形成栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成栅电极以及电容器第二电极；

在所述栅绝缘膜、所述栅电极以及所述电容器第二电极上依次形成层间绝缘膜以及像素电极用导电膜；

蚀刻所述像素电极用导电膜、所述层间绝缘膜以及所述栅绝缘膜的部分区域，以形成露出所述活性层的部分区域的接触孔；

在所述像素电极用导电膜上形成源/漏电极用导电膜；

使用半色调掩模板在所述源/漏电极用导电膜上形成第一光刻胶图案；以及

将所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模板，蚀刻所述源/漏电极用导电膜以及所述像素电极用导电膜，以形成源电极、漏电极以及像素电极。

15.根据权利要求14所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其中，使用所述半色调掩模板在所述源/漏电极用导电膜上形成第一光刻胶图案的步骤，包括：

形成与所述源电极和所述漏电极对应的第一子光刻胶图案以及与所述像素电极对应的第二子光刻胶图案。