[发明专利]晶片封装体及其形成方法有效
申请号: | 201110139233.6 | 申请日: | 2011-05-26 |
公开(公告)号: | CN102263117A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 邱新智;郑家明;许传进;楼百尧 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0216;H01L33/48;H01L33/56;H01L33/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 封装 及其 形成 方法 | ||
技术领域
本发明有关于晶片封装体,且特别是有关于光学感测晶片或发光晶片的封装体。
背景技术
光感测元件或发光元件等光电元件在撷取影像或照明的应用中扮演着重要的角色,这些光电元件均已广泛地应用于例如数字照相机(digital camera)、数字摄摄像机(digital video recorder)、移动电话(mobile phone)、太阳能电池、屏幕、照明设备等电子元件中。
随着科技的演进,对于光感测元件的感测精准度或发光元件的发光精准度的需求亦随之提高。
发明内容
本发明提供一种晶片封装体,包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一光学元件,设置于该第一表面上;一导电垫,设置于该第一表面上;一第一对准图案,形成于该第一表面上;以及一遮光层,设置于该第二表面上,且具有一第二对准图案,其中该第二对准图案对应于该第一对准图案。
本发明所述的晶片封装体,还包括:一穿孔,自该第二表面朝该第一表面延伸;一绝缘层,形成于该穿孔的侧壁上,且延伸至该基底的该第二表面上;以及一导电层,形成于该穿孔中的该绝缘层上,且延伸至该第二表面上的该绝缘层上,其中该导电层电性连接该导电垫。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层具有一侧端,该侧端与该穿孔隔有一间距。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层的该侧端位于该光学元件与该穿孔之间。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层的该侧端位于该导电垫在该第二表面上的正投影的范围内。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层位于该基底与该绝缘层之间。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层具有一侧端,该侧端与该穿孔的侧壁共平面。
本发明所述的晶片封装体,还包括一透明基底,设置于该基底的该第一表面与该光学元件上。
本发明所述的晶片封装体,该第一对准图案形成于该基底的该第一表面上的一材料层中。
本发明所述的晶片封装体,还包括:一保护层,设置于该基底的该第二表面;以及一导电凸块,设置于该第二表面上,且该保护层部分围绕该导电凸块,该导电凸块与该导电垫电性连接。
本发明提供一种晶片封装体的形成方法,包括:提供一基底,具有一第一表面及一第二表面,该基底包括:一光学元件,设置于该第一表面上;以及一导电垫,设置于该第一表面上;于该基底的该第一表面上形成一第一对准图案;于该基底的该第二表面上,对应该第一对准图案而形成一第二对准图案;以及于该基底的该第二表面上形成一遮光层,该遮光层顺应性形成于该第二对准图案上,因而该遮光层具有对应于该第二对准图案的一第三对准图案。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括:自该基底的该第二表面移除部分的该基底以形成朝该基底的该第一表面延伸的一穿孔;于该穿孔的侧壁上及该基底的该第二表面上形成一绝缘层;以及于该穿孔中的该绝缘层上及该第二表面上的该绝缘层上形成一导电层,其中该导电层电性连接该导电垫。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,该穿孔与该第二对准图案同时形成。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,该绝缘层在形成该遮光层之后形成。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,该遮光层在形成该穿孔之后形成。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括以该遮光层的该第三对准图案为对准标记而将该遮光层图案化,使该穿孔中不具有该遮光层,并使该遮光层的一侧端与该穿孔隔有一间距。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,该遮光层在形成该穿孔之前形成。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括:以该遮光层的该第三对准图案为对准标记而将该遮光层图案化以形成一开口,该开口露出部分的该基底;以及以该遮光层为遮罩,自该开口所露出的该基底移除部分的该基底以形成自该第二表面朝该第一表面延伸的该穿孔。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括于该基底的该第一表面与该光学元件之上设置一透明基底。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括:于该基底的该第二表面上形成一保护层;以及于该第二表面上形成一导电凸块,其中该保护层部分围绕该导电凸块,且该导电凸块电性连接该导电垫。
本发明可使晶片封装体的制程更为精准,并可提高晶片封装体的良率。
附图说明
图1A至图1E显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。
图2A至图2E显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的