[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一光学元件，设置于该第一表面上；

一导电垫，设置于该第一表面上；

一第一对准图案，形成于该第一表面上；以及

一遮光层，设置于该第二表面上，且具有一第二对准图案，其中该第二对准图案对应于该第一对准图案。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一穿孔，自该第二表面朝该第一表面延伸；

一绝缘层，形成于该穿孔的侧壁上，且延伸至该基底的该第二表面上；以及

一导电层，形成于该穿孔中的该绝缘层上，且延伸至该第二表面上的该绝缘层上，其中该导电层电性连接该导电垫。

3.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层具有一侧端，该侧端与该穿孔隔有一间距。

4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层的该侧端位于该光学元件与该穿孔之间。

5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层的该侧端位于该导电垫在该第二表面上的正投影的范围内。

6.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层位于该基底与该绝缘层之间。

7.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层具有一侧端，该侧端与该穿孔的侧壁共平面。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一透明基底，设置于该基底的该第一表面与该光学元件之上。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一对准图案形成于该基底的该第一表面上的一材料层中。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一保护层，设置于该基底的该第二表面；以及

一导电凸块，设置于该第二表面上，且该保护层部分围绕该导电凸块，该导电凸块与该导电垫电性连接。

11.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，该基底包括：一光学元件，设置于该第一表面上；以及一导电垫，设置于该第一表面上；

于该基底的该第一表面上形成一第一对准图案；

于该基底的该第二表面上，对应该第一对准图案而形成一第二对准图案；以及

于该基底的该第二表面上形成一遮光层，该遮光层顺应性形成于该第二对准图案上，因而该遮光层具有对应于该第二对准图案的一第三对准图案。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括：

自该基底的该第二表面移除部分的该基底以形成朝该基底的该第一表面延伸的一穿孔；

于该穿孔的侧壁上及该基底的该第二表面上形成一绝缘层；以及

于该穿孔中的该绝缘层上及该第二表面上的该绝缘层上形成一导电层，其中该导电层电性连接该导电垫。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该穿孔与该第二对准图案同时形成。

14.根据权利要求12所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该绝缘层在形成该遮光层之后形成。

15.根据权利要求12所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该遮光层在形成该穿孔之后形成。

16.根据权利要求15所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括以该遮光层的该第三对准图案为对准标记而将该遮光层图案化，使该穿孔中不具有该遮光层，并使该遮光层的一侧端与该穿孔隔有一间距。

17.根据权利要求12所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该遮光层在形成该穿孔之前形成。

18.根据权利要求17所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括：

以该遮光层的该第三对准图案为对准标记而将该遮光层图案化以形成一开口，该开口露出部分的该基底；以及

以该遮光层为遮罩，自该开口所露出的该基底移除部分的该基底以形成自该第二表面朝该第一表面延伸的该穿孔。