[发明专利]具有夹层结构的厚氮化物半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110133723.5 | 申请日： | 2008-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102208332A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | A.W.萨克斯勒;A.A.小伯克 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;王忠忠 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 夹层 结构 氮化物 半导体 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种形成半导体结构的方法，包括：
在包含H2的反应器室中加热硅衬底；
在所述反应器室中提供含硅气体；以及
其后在所述衬底上形成成核层。
2. 如权利要求1所述的方法，其中进一步包括在使含硅气体流过衬底前利用氢氟酸和/或缓冲氧化物刻蚀溶液清洁所述衬底。
3. 如权利要求1所述的方法，其中形成所述成核层包括在大约1000℃到大约1100℃的温度下形成所述成核层。
4. 如权利要求1所述的方法，其中所述含硅气体包括SiH4、Si2H6、SiCl4、SiBr4、和/或Si3N4。
5. 如权利要求1所述的方法，其中提供所述含硅气体包括在大约1000℃的温度下并且在大约0.2个大气压下使所述含硅气体流过衬底。
6. 如权利要求1所述的方法，其中所述成核层包括AlN。
7. 如权利要求1所述的方法，其中所述含硅气体与H2的比率是大约10-7:1。
8. 如权利要求1所述的方法，其中提供所述含硅气体包括在反应器的一个或多个部件上提供硅涂层、或在反应器中的衬底上游放置固体硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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