[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的漏极层；

第一导电型的漂移层，设置于上述漏极层之上；

第二导电型的基极区，设置于上述漂移层之上；

第一导电型的源极区，选择性地设置于上述基极区的与上述漂移层侧 相反侧的表面；

源电极，与上述源极区和上述基极区连接；

漏电极，与上述漏极层连接；

多个第一沟槽，分别从上述源极区的表面贯通上述基极区而与上述漂 移层接触；

多个第一栅电极，分别隔着第一绝缘膜配置在上述第一沟槽内，下端 位于比上述基极区的底面深的位置；

多个场板电极，分别在上述第一沟槽内，隔着上述第一绝缘膜设置在 上述第一栅电极的下方；

多个第二沟槽，分别从上述源极区的表面贯通上述基极区而与上述漂 移层接触，下端位于比上述第一沟槽的下端浅的位置；以及

多个第二栅电极，分别隔着第二绝缘膜配置在上述第二沟槽内，下端 位于比上述基极区的底面深的位置；

从垂直于上述漂移层主面的方向看，

上述多个第一沟槽的某些在第一方向上以条纹状延伸，该第一方向是 与上述源电极侧的上述基极区的表面平行的同一方向，

上述多个第二沟槽的某些在上述第一方向上以条纹状延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述漂移层的杂质浓度小于等于1×10¹⁷atoms/cm³。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一沟槽的间距大于等于0.6微米。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述第一沟槽彼此之间设置了多个上述第二沟槽。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

从垂直于上述漂移层主面的方向看，

上述多个第一沟槽的另外某些在大致垂直于上述第一方向的第二方向 上延伸，

上述多个第一沟槽的上述某些与上述多个第一沟槽的上述另外某些交 叉。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

从垂直于上述漂移层主面的方向看，

上述多个第二沟槽的另外某些在大致垂直于上述第一方向的第二方向 上延伸，

上述多个第二沟槽的上述某些与上述多个第二沟槽的上述另外某些交 叉，

上述多个第二沟槽的某些与上述多个第一沟槽的上述另外某些交叉，

上述多个第二沟槽的上述另外某些与上述多个第一沟槽的某些进一步 交叉。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

从垂直于上述漂移层主面的方向看，上述第二沟槽所包围的区域的形 状是三角形、四边形中的某个。