[发明专利]具有电容器的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号: | 201110096648.X | 申请日: | 2006-09-27 | 
| 公开(公告)号: | CN102176457A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 | 
| 发明(设计)人: | 立花宏俊 | 申请(专利权)人: | 富士通半导体股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115 | 
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 浦柏明;徐恕 | 
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 电容器 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于,具有:
半导体衬底,
多个电容器,它们形成在所述半导体衬底上,通过按顺序层叠下部电极、电容器电介质膜以及上部电极而构成;
在俯视观察下,所述多个电容器中的每个电极的上部电极被包围在所述下部电极内,并且由相互分离的多个图形构成。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
构成所述上部电极的多个图形中的每一个图形的平面形状是包括宽度为5μm以下的带状部分的形状。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
具有如下形状,即,构成所述上部电极的多个图形中的每一个图形都在一边长度为5μm的正方形的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
还具有被施加电源电压的电源线和被施加接地电压的接地线,所述电源线和接地线都形成在所述半导体衬底上,
构成所述上部电极的多个图形中的每一个图形与所述电源线以及接地线中的一个连接,所述下部电极与所述电源线以及接地线中的另一个连接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
所述电容器电介质膜由铁电材料形成。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,还具有:
多条字线,形成在所述半导体衬底上,沿着第一方向延伸,
多条位线,形成在所述半导体衬底上,沿着与所述字线交叉的第二方向延伸,
开关元件,其对应配置在所述字线和位线的交叉处,通过对所对应的字线施加的电压来控制导通状态,,
层间绝缘膜,其形成在所述半导体衬底上,覆盖所述开关元件,
单元电容器,其在所述层间绝缘膜上,对应配置在所述字线和位线的交叉处,通过按顺序层叠下部电极、由铁电材料构成的电容器电介质膜以及上部电极而构成,下部电极以及上部电极中的一个经由所对应的开关元件与所对应的位线连接;
所述电容器与所述单元电容器配置在相同的所述层间绝缘膜上,具有相同的层叠结构。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





