[发明专利]芯片封装方法无效
申请号: | 201110056829.X | 申请日: | 2011-03-03 |
公开(公告)号: | CN102655096A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 林昌志;徐守谦;叶国裕;苏峻兴 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 方法 | ||
技术领域
本发明是关于一种芯片封装方法,尤其是关于一种形成与接地环电性连接的导电薄膜的芯片封装方法。
背景技术
目前随着电子系统变得越来越小,以及系统内电子构件的密度越来越大,因此容易产生系统内的电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)。此外,已知部分封装结构,例如射频芯片(radio frequency,RF)封装结构容易受电磁干扰影响。因此需要发展可减少电磁干扰的影响的方法及设备,以减少高密度电子系统的电磁干扰加乘效应并避免系统的效能下降或是产生错误。
目前已有设计可遮蔽电磁的外罩式阻绝结构,以减少电磁干扰。然而额外设置外罩式阻绝结构不仅增加成本,也增加制造工艺的复杂度。
综合上述,目前仍需要发展一种新的减少电磁干扰的影响的芯片封装方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种芯片封装方法,采用该方法可减少电磁干扰的影响并降低制造工艺的复杂度和成本。
依据本发明的一实施例,一种芯片封装方法,包括下列步骤:提供一芯片承载装置,其具有多个芯片承载单元阵列设置于其上,其中芯片承载单元具有一接地环,其设置于芯片承载单元的一上表面;分别设置一芯片于每一芯片承载单元之上表面并与其电性连接;以一封装材料覆盖每一芯片承载单元的接地环及芯片;移除一部分的封装材料以露出接地环的一部分;形成一导电薄膜,以覆盖封装材料及露出的接地环;以及切单芯片承载装置,以得到独立分隔的每一芯片承载单元。
依据本发明的另一实施例,一种芯片封装方法,包括下列步骤:提供一芯片承载装置,其具有多个芯片承载单元阵列设置于其上,其中一芯片承载单元具有一接地环,其设置于芯片承载单元的一上表面,每一芯片承载单元的接地环之间通过一导线彼此电性连结;分别设置一芯片于每一芯片承载单元之上表面并与其电性连接;以一封装材料覆盖每一芯片承载单元的接地环、导线及芯片;切单芯片承载装置,以得到独立分隔的每一芯片承载单元,并露出导线的一部分;以及形成一导电薄膜,以覆盖封装材料及露出的导线。
本发明的有益效果是:本发明通过形成与接地环电性连接的导电薄膜以形成电磁波屏蔽,可减少外部的电磁干扰;本发明可大量形成封装结构的导电薄膜,因此可减少制造工艺的复杂度及成本。
本发明上述及其它态样、特点及优点可由附图及实施例的说明而获得更清楚的了解。
附图说明
图1a至图1d为显示依据本发明一实施例的芯片封装方法的侧视图。
图2a至图2c为显示依据本发明另一实施例的芯片封装方法的侧视图。
具体实施方式
请参照图1a至图1d,其为侧视图显示依据本发明一实施例的芯片封装方法。首先提供一芯片承载装置1,其具有多个芯片承载单元2阵列设置于其上。举例而言,芯片承载装置1可为一封装基板、一软性基板或一导线架。每一芯片承载单元2具有一接地环21(ground ring),其设置于芯片承载单元2的一上表面。分别将一芯片3设置于每一芯片承载单元2的上表面并与其电性连接。芯片3与芯片承载单元2可包括打线接合或覆晶接合。
在一实施例中,接地环21环设于芯片3的外围,并电性连接至芯片3的接地垫(ground pad,图中未示)以使芯片3达到接地的作用。其中,接地环21的形状可为连续或不连续。其中,不连续的接地环21指的是利用绿漆或是阻隔物质隔绝接地环21,藉以增加芯片3的接合面积以及接合强度。芯片3可以接地垫与接地环21电性连接,因此部分遮蔽接地环21,或者芯片3可以通过打线与接地环21电性连接,因此未遮蔽接地环21。
如图1a所示,每一芯片承载单元2的接地环21及芯片3由一封装材料4覆盖。封装材料4可为一般常用于封装的材料,例如环氧树脂,并加热使其固化。
每一芯片承载单元2还包含多个焊球22,其可通过植球方法设置于芯片承载单元2的一下表面。接地环21与焊球22电性连接。其中,接地环21与焊球22是通过一通孔与焊球22电性连接;或者,接地环21与焊球22可通过一盲孔以及芯片承载单元2内部的接地层(图中未示)电性连接。
请参照图1b,将一部分的封装材料4移除以露出接地环21的一部分。移除封装材料4的方法可包括但不限于研磨、切割或切锯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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