[发明专利]一种生长蓝宝石晶体的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种蓝宝石晶体的生长方法，具体说，是涉及一种大尺寸、高质量的蓝宝石晶体的生长方法，属于晶体生长技术领域。

背景技术

蓝宝石衬底，作为LED领域的关键材料，其大尺寸、高质量、低成本的生长已经成为行业发展最大难点，世界发达国家相继投入大量资金来研发蓝宝石晶体的生长技术。由于我国在该领域研究起步较晚，相对日美俄等国，技术相对落后，对于LED衬底用大尺寸和高质量的蓝宝石晶体的生长，其技术仍然不够成熟、不够稳定，而我国市场对蓝宝石衬底，尤其是大尺寸、高质量的蓝宝石衬底材料的需求正急剧膨胀，供不应求。

目前，生产高质量LED衬底用蓝宝石晶体的主流技术主要有热交换法、温度梯度法和下降法等。但是以上三种主要技术均存在明显的技术缺陷：(1)热交换法-首先，由于采用昂贵的氦气作为热交换气体，成本太高，不适合产业化生长；其次，热交换法生长蓝宝石对设备的要求非常高；(2)温度梯度法-首先，其所需的关键技术就是均匀温场梯度的设计，而其设计非常困难，整个温场梯度只要在一个环节出现问题，其生长出的蓝宝石晶体质量数量级下降；其次，温度梯度法，不能生长大尺寸的蓝宝石晶体，也是一个制约因素；第三，温梯法中熔体最高温度甚至达到2300℃以上，对坩埚和保温屏的要求非常高，同时大大缩短了坩埚和保温屏的使用寿命；(3)坩埚下降法-由于下降法在生长过程中，坩埚、熔体和晶体都在不断的机械运动，其振动使得晶体在生长界面上产生涡流，引入缺陷，影响了晶体的质量。

发明内容

本发明的目的是提供一种生长蓝宝石晶体的方法，以解决温梯法不能生长大尺寸蓝宝石晶体和温场设计的难题，及避免下降法晶体生长所带来的内部缺陷，满足LED衬底用蓝宝石晶体的性能要求。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种生长蓝宝石晶体的方法，为定向凝固下降法，即，在蓝宝石晶体生长初期，从熔体底部以定向凝固法生长，温场均匀降温，生长固液界面自下而上移动，晶体逐渐生长；在蓝宝石晶体生长中后期，启动下降机构，坩埚以一定速率均匀下降；晶体生长结束，缓慢降温至室温，取出晶体。

所述的生长蓝宝石晶体的方法，包括如下具体步骤：

a)将籽晶定向放入坩埚的籽晶槽内；

b)将原料预处理后放入坩埚中，密封，抽真空至10^-3～10^-4Pa，升温至1600～1700℃；

c)在惰性气氛下至压力为正压10～20kpa；

d)继续升温至坩埚底部温度为2060℃～2070℃，恒温3～5小时，待原料完全熔化以及籽晶完成接种后，按5～10℃/h的速率降温，晶体开始初期定向凝固法生长；

e)当晶体降温生长到温度为2050℃～2055℃时，启动坩埚下降机构，下降速率为0.3～2.0mm/h，温梯为15～45℃/cm，晶体开始中后期下降法生长；

f)晶体生长结束，以30～45℃/h的速率将炉温降至室温，取出晶体。

所述籽晶以定向放入坩埚的籽晶槽内。

所述坩埚为底部中心带有一籽晶槽的锥形钼质坩埚。

所述原料的纯度推荐为99.99％～99.999％。

所述原料预处理是指经过1800℃预烧后再在4t/cm²的等静压下锻压成块。

所述惰性气氛推荐为氩气气氛；其中氩气的纯度推荐为99.99％。

本发明的定向凝固下降法生长技术，与当前蓝宝石生长的主流技术：热交换法、温梯法和下降法等技术相比，该技术结合了蓝宝石温梯法的高质量生长和下降法的大尺寸生长的技术特点和优点，避免了温梯法温场梯度的设计难题和高温损伤缺陷，有效避免了下降法生长技术由于坩埚的机械运动所引入的缺陷及热交换法的高成本缺陷，本发明的定向凝固下降法技术生长的蓝宝石在尺寸和质量上明显高于已有方法生长的晶体，能满足LED衬底用蓝宝石技术发展的需要，同时也提高了蓝宝石晶体的生长成品率及降低了蓝宝石晶体的生长成本。

附图说明

图1为本发明的温场梯度设计图；

图2为温梯炉的温场梯度设计图；

图3为下降炉的温场梯度设计图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明做进一步详细地说明，但并不因此限制本发明的内容。