[发明专利]一种集成电路铜互连结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110030627.8 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102117796A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 丁少锋;屈新萍;陈飞;蒋玉龙;茹国平 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;C22C27/04;C22C19/07 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路铜互连结构，其特征在于，利用Co和Mo的合金作为Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，其中，Co和Mo合金的表达式为CoxMoy，x 和y分别是Co和Mo的组分含量，取值范围为0.05-0.95，x和y之和为1。
2.一种如权利要求1所述的集成电路铜互连结构的制备方法，其特征在于具体步骤为：在衬底上直接用PVD，CVD或者ALD技术淀积一层CoxMoy 合金，然后沉积Cu籽晶层或直接电镀铜，得到铜互连结构。
3.根据权利要求2所述的集成电路铜互连结构的制备方法，其特征在于在衬底和CoxMoy 合金层之间还淀积一扩散阻挡层，该扩散阻挡层材料为氮化物。
4.根据权利要求2或3所述的集成电路铜互连结构的制备方法，其特征在于在淀积CoxMoy 合金层时，采用Co靶和Mo靶共溅射技术，或采用Co、Mo合金靶材，或者在原子层淀积的先体中使用两种金属Co、Mo的先体，通过混和源的方法获得合金。
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