[发明专利]P型MOS存储单元

权利要求书

1.一种P型MOS存储单元，其特征在于包括：

在衬底中依次布置的源极有源区、栅极有源区、以及漏极有源区；

在从源极有源区至漏极有源区的方向上，在衬底上依次布置第一浮栅极、选择栅极、以及第二浮栅极；

布置在第一浮栅极上的第一控制栅极；以及

布置在第二浮栅极上的第二控制栅极。

2.根据权利要求1所述的P型MOS存储单元，其特征在于，其中第一浮栅极、第一控制栅极、选择栅极、第二浮栅极以及第二控制栅极布置在所述栅极有源区上方。

3.根据权利要求1或2所述的P型MOS存储单元，其特征在于，其中所述源极有源区与存储器的第一位线电连接。

4.根据权利要求1或2所述的P型MOS存储单元，其特征在于，其中所述漏极有源区与存储器的第二位线电连接。

5.根据权利要求1或2所述的P型MOS存储单元，其特征在于，其中所述第一控制栅极与存储器的第一字线电连接。

6.根据权利要求1或2所述的P型MOS存储单元，其特征在于，其中所述第二控制栅极与存储器的第二字线电连接。

7.根据权利要求1或2所述的P型MOS存储单元，其特征在于，其中所述源极有源区为P型掺杂的区域，所述栅极有源区为N型掺杂的区域，以及所述漏极有源区为P型掺杂的区域。

8.根据权利要求1或2所述的P型MOS存储单元，其特征在于，其中所述衬底为P型衬底，并且源极有源区、栅极有源区、以及漏极有源区被布置在所述P型衬底中的N阱中。

9.根据权利要求1或2所述的P型MOS存储单元，其特征在于，其中所述衬底为N型衬底。

10.根据权利要求1或2所述的P型MOS存储单元，其特征在于，其中所述P型MOS存储单元被用于闪存存储器。