[发明专利]半导体装置及半导体装置的驱动方法有效
| 申请号: | 201080060657.7 | 申请日: | 2010-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN102696109A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
| 发明(设计)人: | 黑川义元;池田隆之 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G09F9/30;G09G3/20;G09G3/36;H04N5/374 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 驱动 方法 | ||
1.一种半导体装置,包括;
设置在衬底上的第一光传感器,该第一光传感器包括:
光电二极管;
第一晶体管;以及
包括氧化物半导体的第二晶体管,
其中,所述光电二极管的一个电极电连接于所述第二晶体管的源极和漏极中的一个,
并且,所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个电连接于所述第一晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中,所述光电二极管和所述第一晶体管形成在同一表面上,
所述第二晶体管隔着绝缘膜形成在所述光电二极管和所述第一晶体管上,
并且,所述第二晶体管至少部分重叠于所述光电二极管。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括第三晶体管,
其中,所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接于所述第一晶体管的源极和漏极中的一个,
并且,所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接于所述第一晶体管的栅极。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括第二光传感器,
其中,所述第一光传感器和所述第二光传感器被配置为同时进行复位工作,同时进行累积工作,依次进行选择工作。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述选择工作的总时间比所述累积工作的时间长。
6.根据权利要求4所述的半导体装置,还包括特定的颜色的光源,
其中,所述第一光传感器和所述第二光传感器被配置为对所述特定的颜色同时进行所述复位工作,对所述特定的颜色同时进行所述累积工作,依次进行所述选择工作。
7.根据权利要求4所述的半导体装置,还包括:
至少包括第一颜色和第二颜色的多个颜色的光源;
第三光传感器;以及
第四光传感器,
其中,所述第一光传感器和所述第二光传感器被配置为在使用所述第一颜色的光源时同时进行所述累积工作,
并且,所述第三光传感器和所述第四光传感器被配置为在使用所述第二颜色的光源时同时进行累积工作。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括第二光传感器,
其中,所述第一光传感器和所述第二光传感器被配置为在一次成像所需的期间中在复位工作之后反复多次进行累积工作和选择工作。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述选择工作的总时间比从所述累积工作的开始到所述累积工作的结束的时间长。
10.一种半导体装置,包括;
设置在衬底上的显示元件;
设置在所述衬底上的第一光传感器,该第一光传感器包括:
光电二极管;
第一晶体管;以及
包括氧化物半导体的第二晶体管,
其中,所述光电二极管的一个电极电连接于所述第二晶体管的源极和漏极中的一个,
并且,所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个电连接于所述第一晶体管的栅极。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,
其中,所述光电二极管和所述第一晶体管形成在同一表面上,
所述第二晶体管隔着绝缘膜形成在所述光电二极管和所述第一晶体管上,
并且,所述第二晶体管至少部分重叠于所述光电二极管。
12.根据权利要求10所述的半导体装置,还包括第三晶体管,
其中,所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接于所述第一晶体管的源极和漏极中的一个,
并且,所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接于所述第一晶体管的栅极。
13.根据权利要求10所述的半导体装置,还包括第二光传感器,
其中,所述第一光传感器和所述第二光传感器被配置为同时进行复位工作,同时进行累积工作,依次进行选择工作。
14.根据权利要求13所述的半导体装置,其中所述选择工作的总时间比所述累积工作的时间长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





